公开(公告)号：CN118159835A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071663.5

申请日：2022-10-07

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  卡尔蔡司X光显微镜股份有限公司

Inventor： R·皮克玛尼 ,  C·H·格拉夫沃姆哈根 ,  J·T·诺伊曼 ,  J·劳夫 ,  T·M·格雷戈里奇

IPC: G01N23/046 ,  G06T11/00

Abstract: 在获取样品结构的3D图像的方法中，最初在有限数量的原始样品平面处获取样品结构的2D图像的第一原始2D集合。根据该第一原始2D集合，计算由3D体积图像数据集表示的样品结构的3D图像，并且从3D体积图像数据集提取测量参数。这样的测量参数被分配给在获取步骤期间记录的2D图像采集的数量。然后，通过在与先前采集样品平面不一致的另一数量的交错样品平面处记录另一数量的交错2D图像采集，需要样品结构的另一交错2D图像集合。对另一交错2D集合重复步骤“计算”、“提取”和“分配”。比较实际和最后提取的测量参数以检查是否满足收敛标准。如果不是，则针对另一交错2D集合重复步骤“获取”、“计算”、“提取”、“分配”和“比较”，该另一交错2D集合包括在与先前采集样品平面不重合的另一数量的交错样品平面处的另一数量的交错2D图像采集。这样做直到满足收敛标准或者直到记录了给定最大数量的2D图像采集。输出测量参数和记录的2D图像采集的总数。用于这种方法的投射系统包括投射光源、可旋转的样品结构保持器和空间分辨检测器。可替代地或另外地，数据处理系统可以使用这种方法来获取样品的虚拟断层摄影图像。利用这种方法，提高了样品吞吐量。

公开(公告)号：CN116209957A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180063375.0

申请日：2021-09-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T·科布 ,  P·胡思沃尔 ,  J·T·诺伊曼

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种配置在晶片(60)上的多个半导体结构的缺陷检测的方法(3010)，方法包括获得(3101)晶片(60)的显微图像(42、80)，显微图像(42、80)描绘出多个半导体结构(62、171、172)。方法还包括从数据库(55)获得用于与多个半导体结构(62、171、172)中个别的一个或多个半导体结构(62、171、172)相关联的一组(150)基底图案类别(151‑159)的每个基底图案类别(151‑159)的指纹数据(41)。方法更包括基于指纹数据(41)与显微图像(42、80)进行缺陷检测。