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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109362239A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201780028615.7
申请日：2017-03-23
Applicant: 南非大学
Inventor： 维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普 , 帕特里斯·尤明宁
IPC: H01L39/24 , B23K26/362 , H01L39/22 , B23K26/0622
Abstract: 一种在YBCO薄膜上制备微纳米收缩型结构的方法，所述方法包括利用飞秒激光在薄膜上烧蚀预定图案，以及超导装置，所述超导体装置包括YBCO薄膜，在该YBCO薄膜上通过飞秒激光烧蚀预定图案。
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公开(公告)号：CN109362239B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201780028615.7
申请日：2017-03-23
Applicant: 南非大学
Inventor： 维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普 , 帕特里斯·尤明宁
IPC: H01L39/24 , B23K26/362 , H01L39/22 , B23K26/0622
Abstract: 一种在YBCO薄膜上制备微纳米收缩型结构的方法，所述方法包括利用飞秒激光在薄膜上烧蚀预定图案，以及超导装置，所述超导体装置包括YBCO薄膜，在该YBCO薄膜上通过飞秒激光烧蚀预定图案。
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公开(公告)号：CN113169167B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980078312.5
申请日：2019-11-26
Applicant: 南非大学
Inventor： A·斯里尼瓦桑 , S·瓦拉巴普 , 维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普
Abstract: 本发明涉及一种非易失性电阻式随机存取存储器(ReRAM)、非易失性ReRAM成分和一种用于制造非易失性ReRAM的方法。ReRAM包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电阻式切换/有源层。切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。切换/有源层可以被构造为根据施加的电压执行切换操作。切换/有源层可以是膜的形式。切换/有源层可以被涂覆/施加到第一电极上，并且第二电极可以被设置/施加/提供在切换/有源层上方，使得切换/有源层位于/楔入这两个电极中间。
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公开(公告)号：CN113169167A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078312.5
申请日：2019-11-26
Applicant: 南非大学
Inventor： A·斯里尼瓦桑 , S·瓦拉巴普 , 维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普
Abstract: 本发明涉及一种非易失性电阻式随机存取存储器(ReRAM)、非易失性ReRAM成分和一种用于制造非易失性ReRAM的方法。ReRAM包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电阻式切换/有源层。切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。切换/有源层可以被构造为根据施加的电压执行切换操作。切换/有源层可以是膜的形式。切换/有源层可以被涂覆/施加到第一电极上，并且第二电极可以被设置/施加/提供在切换/有源层上方，使得切换/有源层位于/楔入这两个电极中间。
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公开(公告)号：CN104903243A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380068389.7
申请日：2013-11-14
Applicant: 南非大学
Inventor： 伊凡·威廉姆·霍夫沙耶尔 , 维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普 , 何卫华
CPC classification number: C02F1/48 , B01F13/0809 , B01J19/087 , B01J2219/0854 , B01J2219/0864 , B01J2219/0867 , B01J2219/0877 , C02F1/485 , C02F1/488 , C02F2201/483 , C02F2301/026 , C02F2305/08
Abstract: 公开了用于处理流体的方法和设备。所述设备包括由非磁性材料制做的圆柱形腔室，用于保持大量待处理流体。所述流体包含一些磁性颗粒，优选为纳米颗粒，其具有用于处理流体的所需特性。所述设备包括用于在所述腔室内产生非静态磁场的磁场发生器，由此在使用中引起腔室内磁性颗粒的运动。所述腔室具有入口和出口，待处理流体可通过所述入口被引入，并且处理后的流体可通过所述出口从腔室中去除。许多组绕组围绕所述腔室同心地设置，并且被布置成在所述腔室内产生旋转磁场。优选地，所述旋转磁场以与流体在腔室中的涡流旋转相反的方向旋转。这增进了纳米颗粒和待处理流体之间的接触。
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