-
公开(公告)号：CN120024898A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510134957.3
申请日：2025-02-07
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
IPC: C01B32/956 , C01B32/984 , F27D5/00 , F27D11/06 , B01J3/04 , B01J3/00 , G16C20/10 , G16C20/30
Abstract: 本发明涉及碳化硅合成技术领域，公开了可提高固相合成碳化硅出料率的合成方法及碳化硅合成炉，该合成方法包括以下步骤：对碳化硅产物块体进行粉碎、筛分、清洗及干燥处理，得到碳化硅粉末；利用高能球磨技术结合超声波辅助混合技术对碳化硅粉末、碳粉、硅粉及聚四氟乙烯粉末进行混合处理，得到混合原料；将混合原料均匀的铺设在石墨坩埚中，并将石墨坩埚放入碳化硅合成炉中，基于参数优化算法输出的最佳合成参数进行固相合成碳化硅。本发明不仅可以有效的降低固相合成碳化硅的生产成本，显著提高碳化硅的产率，减少生产过程中的能耗和原料浪费，而且还可以通过精确控制合成参数，提高碳化硅产品的质量和纯度。
-
公开(公告)号：CN116989531B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311250747.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅表面处理的液冷装置，包括冷却箱和液冷座，所述冷却箱的外壁靠近底部的位置开设有外螺纹，所述液冷座的一侧开设有内螺纹，且内螺纹与外螺纹之间相适配，所述液冷座的底部开设有排液口，且排液口的内壁设置有密封塞，所述冷却箱的一侧设置有进液管，所述冷却箱的顶部通过螺栓连接有箱盖，且箱盖的顶部开设有进口，且进口的内壁通过螺栓连接有导料管，所述冷却箱的一侧外壁靠近顶部的位置通过螺栓连接有气泵。本发明以便于对碳化硅进行分散处理，从而便于提高装置对碳化硅的液冷效果，防止由于大量的碳化硅集中在一起会导致碳化硅与冷却液之间的接触面积较小，从而会导致碳化硅受冷不均，进而对碳化硅的冷却效果造成影响。
-
公开(公告)号：CN118514221A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410705331.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明属于晶圆加工技术领域，尤其是一种碳化硅晶圆切割设备，针对现在晶圆切割在晶圆的底部载台以及切割方式上存在晶圆切割浪费的问题，现提出以下方案，包括主机箱，所述主机箱的前侧底部位置通过螺栓固定有前置底座，所述主机箱的底部内壁设置有载台机构，所述前置底座的顶部设置有涂蜡机构，所述主机箱的顶部内壁设置有切割机构。本发明通过对晶圆本体的底部涂覆蜡层，并且根据切割位置通过激光熔化多余的蜡层可以形成一个支撑位置，顶部的切割刀头形成的切割槽，这一系列可以实现细微的变量调整，并且喷气针通过气压的吹气可以产生瞬间的力，保护晶圆本体的切面均匀，且可以实现更小的晶圆芯片的切割，具有更精细的切割区域调整效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119669713A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411795974.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
IPC: G06F18/21 , G06F18/241 , G06N3/045 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06F18/243 , G06Q10/0639
Abstract: 本发明公开了基于深度模型的碳化硅提纯处理中质量验证方法及系统，涉及碳化硅检验领域，该基于深度模型的碳化硅提纯处理中质量验证方法包括以下步骤：分类监控数据，得到分类数据；获取与碳化硅产品缺陷相关的关联规则；基于深度学习模型，结合获取的关联规则及分类数据中的参数特征，对碳化硅产品的缺陷类型及概率进行预测；量化预测的碳化硅产品的缺陷类型及概率，得到量化分数，且将量化分数与风险指标结合，计算总的风险评分，构建风险画像。本发明结合关联规则的特征和分类数据特征，提高模型对于碳化硅产品缺陷类型及概率的预测准确性，将预测结果量化为风险分数，并与其他风险指标结合，提供了一个直观的质量验证评估指标。
-
公开(公告)号：CN119517208A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411660445.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅提纯处理的杂质含量检测方法及系统，涉及碳化硅检测技术领域，该方法包括以下步骤：从碳化硅数据库中采集预设数量提纯处理后的碳化硅检测的历史样本；得到基于历史样本的有机杂质数据及无机杂质数据；构建杂质含量预测模型；将实时有机杂质数据及实时无机杂质数据输入至杂质含量预测模型中，得到有机杂质含量及无机杂质含量的预测结果。本发明通过采集碳化硅检测的历史样本，并结合质谱和光谱分析技术，获取更为全面和准确的有机杂质数据和无机杂质数据，不仅涵盖了传统光学光谱分析技术的检测范围，还深入分析杂质成分，从而提供了更为丰富、准确和全面的杂质信息，大大提高了检测的准确性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN119468683A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411660689.0
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于计算传热学模拟的碳化硅真空烧结炉优化方法，用于人工智能领域，该方法包括以下步骤：建立热传递模型；通过设定初始温度、施行热流和对流换热的边界条件，利用隐式数值方法求解热传递模型，预测碳化硅真空烧结炉内的热效应；基于优化后的热传递模型，利用多物理场模拟技术模拟碳化硅真空烧结炉内的物理过程，分析碳化硅真空烧结炉的操作参数数据对热传递过程的影响；将运行数据与模拟结果进行对比，基于比对结果与分析的结果；将实际性能数据与模拟结果进行对比分析，评估操作参数数据的调整效果。本发明通过质量检测与能效评估，测量并优化烧结过程中的能源利用效率，识别能源浪费的环节。
-
公开(公告)号：CN118514221B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410705331.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明属于晶圆加工技术领域，尤其是一种碳化硅晶圆切割设备，针对现在晶圆切割在晶圆的底部载台以及切割方式上存在晶圆切割浪费的问题，现提出以下方案，包括主机箱，所述主机箱的前侧底部位置通过螺栓固定有前置底座，所述主机箱的底部内壁设置有载台机构，所述前置底座的顶部设置有涂蜡机构，所述主机箱的顶部内壁设置有切割机构。本发明通过对晶圆本体的底部涂覆蜡层，并且根据切割位置通过激光熔化多余的蜡层可以形成一个支撑位置，顶部的切割刀头形成的切割槽，这一系列可以实现细微的变量调整，并且喷气针通过气压的吹气可以产生瞬间的力，保护晶圆本体的切面均匀，且可以实现更小的晶圆芯片的切割，具有更精细的切割区域调整效果。
-
公开(公告)号：CN116989531A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311250747.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 南通罡丰科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅表面处理的液冷装置，包括冷却箱和液冷座，所述冷却箱的外壁靠近底部的位置开设有外螺纹，所述液冷座的一侧开设有内螺纹，且内螺纹与外螺纹之间相适配，所述液冷座的底部开设有排液口，且排液口的内壁设置有密封塞，所述冷却箱的一侧设置有进液管，所述冷却箱的顶部通过螺栓连接有箱盖，且箱盖的顶部开设有进口，且进口的内壁通过螺栓连接有导料管，所述冷却箱的一侧外壁靠近顶部的位置通过螺栓连接有气泵。本发明以便于对碳化硅进行分散处理，从而便于提高装置对碳化硅的液冷效果，防止由于大量的碳化硅集中在一起会导致碳化硅与冷却液之间的接触面积较小，从而会导致碳化硅受冷不均，进而对碳化硅的冷却效果造成影响。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
