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公开(公告)号：CN119401973A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411510827.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面中央设置有释放腔；压电振动结构，悬浮在所述释放腔中；顶部插指电极，布置在所述压电振动结构的上表面上，并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域；底部平板电极，布置在所述压电振动结构的下表面上，其中，所述bus区域设置有空槽结构，用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器，具有无杂散和高频率的特点。
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公开(公告)号：CN116667810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310470060.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域，涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器，包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器，通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构，提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN117938108A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311855366.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种具有声学减速带结构的Lamb波谐振器。本发明提供的Lamb波谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极、配置于顶部叉指电极Bus区域上表面的声学减速带结构。本发明申请的具有声学减速带结构的Lamb波谐振器，具有高品质因数、高有效机电耦合系数的特点，能够实现大带宽且显著抑制带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN113300684A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110577798.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种Lamb波谐振器及其制作方法，制得的Lamb波谐振器包括自下而上依次设置的第一电极结构、压电振动结构、第二电极结构和掩膜结构；其中，所述第二电极结构为叉指电极，所述压电振动结构的边缘倾角均呈90°，所述掩膜结构为二氧化硅掩膜，所述二氧化硅掩膜同时覆盖叉指电极的外表面和未被叉指电极覆盖的压电振动结构的上表面。本发明实施例的采用二氧化硅作为压电振动结构的掩膜结构的解决方案，使得制备的压电振动结构的边缘倾角能够呈90°角，大幅提高了Lamb波谐振器的品质因数，优化了Lamb波谐振器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118944629A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411128314.X
申请日：2024-08-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的中心处设置有空腔；氮化铝薄膜，位于衬底的上表面上并包括覆盖在所述空腔上方的第一部分和覆盖在衬底上除空腔之外的第二部分；谐振体，所述谐振体包括位于第一部分上表面的顶部叉指电极和位于下表面上的底部叉指电极；声学反射器，所述声学反射器包括位于第二部分的上表面上并且间隔设置的多个金属条。本发明提供的集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数和散热性能好的特点，能够实现高频的新型侧向支撑轴结构的谐振器。
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公开(公告)号：CN116614107A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310569824.X
申请日：2023-05-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器。本发明提供基于掺钪氮化铝(Al0.6Sc0.4N)双模谐振器分为第一区域和第二区域，模态1和模态2分别设置于第一区域和第二区域，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极，第一区域与第二区域间配置用于抑制不同模态间的相互干扰的声学隔绝槽。本发明申请的掺钪氮化铝压电薄膜谐振器，两个工作模态均具有相近且较高的品质因数和有效机电耦合系数，并具备无寄生模态的特点，能够在互不干扰的条件下实现对其两个模态的频率调节以构成双通带声学滤波器。
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公开(公告)号：CN119727648A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411715340.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 南通大学 , 无锡中微腾芯电子有限公司
IPC: H03H9/02 , H03H9/15 , H03H3/02 , H10N30/082
Abstract: 本申请公开了一种具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。本发明提供的谐振器所述具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面上设置有释放腔；底部平板电极，放置在衬底的上表面的上方并且位于所述释放腔中；压电振动结构，位于底部平板电极的表面上；顶部叉指电极，位于压电振动结构的表面上；支撑轴，位于压电振动结构的两侧使得压电振动结构、底部平板电极和顶部叉指电极均悬浮固定于释放腔中。本发明提供的具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数的特点，能够实现提高Q值的新型谐振器。
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公开(公告)号：CN119727639A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411635602.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 南通大学 , 无锡中微腾芯电子有限公司
IPC: H03H3/02 , H10N30/082 , H03H9/02 , H03H9/15
Abstract: 本申请的实施例提供了一种掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述制备方法包括以下步骤：在第一晶圆上依次制备下叉指电极的电极层、中间压电层和上叉指电极的电极层；制备保护层并形成空腔；将第一晶圆倒置放置在第二晶圆上；移除第一晶圆并进行图案化处理以形成下叉指电极；刻蚀电极层和中间压电层以引出上叉指电极；制备焊盘并刻蚀上叉指电极的电极层、中间压电层和下叉指电极的电极层，形成空气反射边界。通过晶圆级转移技术将制造的器件结构倒置，改变了叉指电极图案化和压电薄膜沉积的工艺顺序，解决了由图案化叉指电极引起沉积压电薄膜所产生结构畸变或断裂的问题，实现了高质量掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN118971833A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411128316.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器，属于射频MEMS器件领域。双模态兰姆波压电谐振器包括：第一谐振区域，包括：第一压电振动结构，配置于其上表面上的第一顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第一底部叉指电极；第二谐振区域，包括：第二压电振动结构，配置于其上表面上的第二顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第二底部叉指电极；声学超材料阵列结构，声学超材料阵列结构设置在第一谐振区域和第二谐振区域之间。本发明的基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器能够实现两个独立的工作模态，且两个模态都具有较好的频谱纯净度，有利于实现其在双通带滤波器中的应用。
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