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公开(公告)号：CN120048726A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510246594.2
申请日：2025-03-04
Applicant: 南昌大学
Inventor： 廖霞霞 , 柯明杰 , 袁加仁 , 周杨波
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种二维非晶氧化镓薄膜的制备方法。本发明以硒化镓为基体，采用剥离‑转移、在空气中加热氧化的等步骤制备非晶氧化镓。本发明得到的非晶氧化镓薄膜厚度在十纳米以内，且制备所得非晶氧化镓薄膜结构厚度均匀，表面光滑。本发明操作简单、耗时短，生产环保，制备尺寸、构型可调，适用于大规模生产。
