一种提高陶瓷烧结粉体分散性的方法及其设备

    公开(公告)号:CN119661238A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411886408.3

    申请日:2024-12-19

    Abstract: 本申请提供了一种提高陶瓷烧结粉体分散性的方法,包括:提供一内设有上电极、下电极、上绝缘介质板和下绝缘介质板的密封真空箱;将陶瓷烧结粉体铺设于所述下绝缘介质板;控制所述密封真空箱内气氛;开启所述交流电源,所述上电极和所述下电极在所述交流电源的作用下,于所述上绝缘介质板和所述下绝缘介质板之间产生介质阻挡放电等离子体;以及利用所述介质阻挡放电等离子体对所述陶瓷烧结粉体进行一定时间的处理。另外,本申请还提供了一种提高陶瓷烧结粉体分散性的设备。通过本申请前述方法和设备提升陶瓷烧结粉体分散性的步骤少,设备结构简单,大大提高了整体的生产效率,还有效降低陶瓷烧结制备成本。

    一种污秽化合物识别方法和装置

    公开(公告)号:CN113406059B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202110646759.7

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 一种污秽化合物识别方法和装置,该方法包括如下步骤:S1、利用激光诱导击穿光谱技术(LIBS)在污秽样品表面产生等离子体;S2、收集等离子体得到光谱数据;S3、对光谱数据进行处理和分析,得到污秽中的元素种类并将元素谱线特征量代入定标模型中,获得离子浓度;S4、根据离子浓度进行阴阳离子的配对;当阴阳离子的种类数大于2时,进行FCM聚类分析;当聚类的类别中出现多种配对情况时,进行各阴阳离子间的马氏距离计算,马氏距离短者优先配对;将已完成配对离子的相关数据剔除,重复配对过程直至剩余的阴阳离子种类数小于等于2,得到配对结果。本发明利用LIBS,结合改进FCM聚类算法分析得到绝缘子表面污秽的化合物成分信息,检测周期短,检测结果准确性高。

    一种用于固体检测的激光电离进样装置和方法

    公开(公告)号:CN111146069A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911295356.1

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 一种用于固体检测的激光电离进样装置和方法,该装置包括激光器、激光电离腔体、进样管和质谱仪腔体,所述激光器用于发射激光到位于所述激光电离腔体内的待测样品上,使激光与待测样品发生电离反应生成样品离子,所述激光电离腔体通过进样管连接所述质谱仪腔体,所述样品离子通过所述进样管进入到所述质谱仪腔体内并在所述质谱仪腔体内实现样品离子检测,其中,经设置使所述激光电离腔体内的气压高于所述质谱仪腔体内的气压。本发明能够提高离子的传输和利用效率,并提高激光电离检测仪器的检测灵敏度。

    模型训练方法、材料检测方法、系统及设备

    公开(公告)号:CN120011899A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510495117.X

    申请日:2025-04-21

    Abstract: 本申请适用于光谱检测技术领域,提供了一种模型训练方法、材料检测方法、系统及设备,包括:获取样本训练集;其中,所述样本训练集中的每个样本数据包括等离子体辐射光谱数据、等离子体特征数据以及与所述每个样本对应的样本标签信息;以所述每个样本的所述等离子体辐射光谱数据和所述等离子体特征数据为输入,以与所述每个样本对应的所述样本标签信息为输出,训练得到所述神经网络模型;所述等离子体辐射光谱数据包括所述每个样本的第一等离子体辐射光谱数据和/或对所述第一等离子体辐射光谱数据预处理后得到的等离子体辐射光谱数据,本申请提高了对材料进行分类的准确性。

    一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置

    公开(公告)号:CN118290160A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410434799.9

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本发明公开一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置。该方法包括将碳化硅粉末经造粒、压片、排胶、预烧工序制成陶瓷生坯后进行烧结,其特征在于,所述烧结包括以下步骤:(1)将陶瓷生坯置于密封真空箱中,并在陶瓷生坯的两端设置电极,连接至交流电源;在密封真空箱中,所述陶瓷生坯的底部垫有氧化铝板,其上方也同时设有氧化铝板,上下的氧化铝板之间平行且由设在陶瓷生坯两侧的氧化铝块作支撑;(2)将密封真空箱内的气氛调节为<1atm的惰性气氛;(3)开启电源,升高电压至陶瓷生坯发生沿面放电,使得陶瓷生坯电导率发生改变并产生电流通道,持续升高电压使电流密度至预定值,然后关闭电源,得到碳化硅陶瓷。

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