-
公开(公告)号：CN119371748A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411521224.7
申请日：2024-10-29
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 四川大学
Abstract: 本申请涉及一种绝缘材料及其制备方法和应用，所述绝缘材料的制备原料包括如下质量份数的组分：30份～50份的共聚聚丙烯、5份～25份的耐热聚丙烯、30份～50份的聚烯烃热塑性弹性体以及0.2份～0.4份的抗氧化剂。本申请中共聚聚丙烯、耐热聚丙烯、聚烯烃热塑性弹性体和抗氧化剂在特定组分和配比下互相作用、协同增效，解决了聚丙烯用在高压电缆领绝缘材料领域存在韧性和耐热性难以兼顾的技术难题，制得的绝缘材料具有高耐热性、高力学韧性和优异的电气强度，避免了绝缘层受热变软、变形或开裂现象，满足高压电缆的用材需求。
-
公开(公告)号：CN119846185A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311766313.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 四川大学
IPC: G01N33/44 , G01N21/3563 , G01N25/20
Abstract: 本发明提供了一种聚碳酸酯(PC)注塑制品非晶结构均匀性的快速评价方法，步骤包括：通过注塑加工获得PC制品，利用带偏振模式的傅里叶变换红外光谱仪表征PC注塑制品不同位置处的偏振红外光谱图，通过PC特征峰在不同偏振光角度下的吸光度，计算红外二向色性比及非晶分子链取向度；通过带温度调整模式的差式扫描量热仪表征PC注塑制品中刚性非晶和活动非晶的含量。通过对比PC注塑制品不同位置处取向度的差异，结合刚性非晶和活动非晶含量的差异，评价聚碳酸酯注塑制品非晶结构的均匀性。本发明有助于快速评价注塑制品优劣，甄选出非晶结构均匀的高性能聚碳酸酯注塑制品，同时对指导聚碳酸酯注塑加工结构调控和工艺设定也具有重要的指导意义。
-
公开(公告)号：CN118107193A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410231950.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 四川大学
IPC: B29C69/00 , H01G4/33 , H01G4/14 , B29C55/02 , B29C41/24 , B29C41/52 , B29B9/06 , C08L23/12 , C08L27/16 , C08L33/12 , C08J5/18 , B29L7/00
Abstract: 本申请涉及高分子薄膜电容器技术领域，公开了一种聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合介电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：将聚偏二氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯进行熔融共混，切粒得到聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合粒料；将其与聚丙烯基体及相容剂进行熔融共混，切粒得到聚丙烯/聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯复合料粒；再进行挤出流延、熔体拉伸、冷却收卷，得到初级复合薄膜；初级复合薄膜加热后进行固态拉伸，即得。本申请的制备方法工艺简单，生产成本低，易实现连续化生产；大幅减少了聚丙烯与聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯相的界面缺陷，提高了复合介电薄膜的击穿场强和介电常数。
-
公开(公告)号：CN116041758B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211564481.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 四川大学
Abstract: 一种高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用，其中，制备方法包括：将聚乙烯基体和聚偏二氟乙烯进行混炼，切粒得到聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合粒料；利用挤出流延设备，将聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合粒料进行挤出流延，再经热拉伸、冷却收卷，得到聚乙烯/聚偏二氟乙烯初级复合薄膜；将聚乙烯/聚偏二氟乙烯初级复合薄膜在预设温度下进行退火拉伸处理，冷却后得到介电储能性能优良的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜。本发明所制备的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜兼具高储能、低损耗的有益效果，有望拓宽聚偏二氟乙烯在电容器薄膜领域的应用。
-
公开(公告)号：CN114870905B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210640061.9
申请日：2022-06-08
Applicant: 四川大学
IPC: B01J31/38 , B01J35/08 , B01J20/24 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 一种原位制备二氧化钛/纤维素纳米复合微球的方法以预水解的钛酸正丁酯溶液加入到纤维素溶液，获得预制液，并通过反相乳液法制得原位矿化无定形二氧化钛的纳米复合纤维素微球。发明制备的无定型二氧化钛能够暴露更多的活性位点，其吸附性能远高于传统共混方法制得的微球。本发明复合微球对罗丹明B的降解过程中，表现出降解效率加速的特征。本发明基体来源广泛、绿色环保，溶剂体系无毒、价廉，材料制备过程简单，工艺易于掌握，生产成本低，有大规模生产的巨大潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111409296A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010189309.5
申请日：2020-03-18
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种双轴拉伸聚乳酸包装薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将聚乳酸制备为聚乳酸片材；步骤2：将步骤1得到的聚乳酸片材进行双轴拉伸得到聚乳酸薄膜；步骤3：将步骤2得到的聚乳酸薄膜进行热处理，冷却后即可得到所需聚乳酸包装薄膜；本发明制备得到的聚乳酸包装薄膜具有高强度、高韧性、良好透明性，良好的耐热性以及气体阻隔性能；原料可再生，生物可降解，制备工艺简单，具有工业化生产的潜力，能够广泛应用于包装领域。
-
公开(公告)号：CN118977444A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410934583.9
申请日：2024-07-12
Applicant: 四川大学
IPC: B29D7/01 , H01G4/33 , C08L23/12 , C08L67/02 , C08J5/18 , B29C41/24 , B29C41/52 , B29C55/02 , B29L7/00
Abstract: 本发明提供了一种聚丙烯/聚对苯二甲酸乙二醇酯复合介电薄膜及其制备方法和应用，属于高分子薄膜电容器技术领域。本发明所述制备方法包括：将聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯进行熔融共混，切粒得到聚丙烯/聚对苯二甲酸乙二醇酯复合粒料；进行挤出流延、熔体拉伸、冷却收卷，得到初级复合薄膜；将初级复合薄膜在加热的条件下进行固态拉伸，即得。本发明所述制备方法工艺简单，生产成本低，易实现连续化生产；同时本发明通过相形态和晶体结构调控大幅降低了所述薄膜中的泄漏电流密度，使其具有高击穿场强、高能量释放密度和高能量释放效率的优势。
-
公开(公告)号：CN116102746B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310136513.4
申请日：2023-02-20
Applicant: 四川大学
Abstract: 一种基于质子型离子液体溶解纤维素的方法，包括以下步骤：S1、将1,1,3,3‑四甲基胍和甲氧基乙酸按体积比为1.5～13.8混合，得到质子型离子液体；S2、将纤维素加入到质子型离子液体中，在加热条件下搅拌至纤维素溶解，溶解温度为65～85℃，得到纤维素溶液。本发明的基于质子型离子液体溶解纤维素的方法，其合成方法简单、价格低廉、绿色环保、可回收，在温和条件下即可实现高纤维素溶解度，即易实现纤维素材料的工业化生产。
-
公开(公告)号：CN111303549B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010263749.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种增强增韧聚苯乙烯的制备方法及拉伸薄膜，包括以下步骤：步骤1：将质量比为1:0.05～1的聚苯乙烯和K树脂熔融、挤出并造粒；得到聚苯乙烯/K树脂共混物颗粒料；步骤2：将步骤1中的聚苯乙烯/K树脂共混物颗粒料熔融、挤出，经低温流延辊冷却后即可形成共混物流延薄膜；步骤3：将步骤2得到的共混物流延薄膜进行热拉伸，经退火辊淬冷即可形成所需聚苯乙烯/K树脂共混物拉伸薄膜；本发明得到的聚苯乙烯基薄膜在兼顾了刚性和韧性的同时，还保留了优良的光学性能，且这些优良的性能能在较高温度下保持；方法工艺简单，设备要求低，适合大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN111303549A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010263749.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种增强增韧聚苯乙烯的制备方法及拉伸薄膜，包括以下步骤：步骤1：将质量比为1:0.05～1的聚苯乙烯和K树脂熔融、挤出并造粒；得到聚苯乙烯/K树脂共混物颗粒料；步骤2：将步骤1中的聚苯乙烯/K树脂共混物颗粒料熔融、挤出，经低温流延辊冷却后即可形成共混物流延薄膜；步骤3：将步骤2得到的共混物流延薄膜进行热拉伸，经退火辊淬冷即可形成所需聚苯乙烯/K树脂共混物拉伸薄膜；本发明得到的聚苯乙烯基薄膜在兼顾了刚性和韧性的同时，还保留了优良的光学性能，且这些优良的性能能在较高温度下保持；方法工艺简单，设备要求低，适合大规模工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.06 seconds)
