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公开(公告)号：CN117590704A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311566616.0
申请日：2023-11-23
Abstract: 本发明公开一种制备高单色性单光子发射器的方法，涉及单光子发射器技术领域，包括以下步骤：通过激光直写在基底的预应变层上形成微小鼓包得到预应变结构；将单层二维材料转移到基底上，并覆盖在预应变结构表面；加热基底使预应变结构生长，微小鼓包的体积变大，使其上方的单层二维材料发生应变，产生二维材料鼓包，得到单光子发射器；本发明一方面实现了在二维材料鼓包最高点的应力集中，提高了单光子发射器的单色光发射能力；另一方面增强了二维材料与预应变层的紧密贴合，提高了单光子发射器的光子发射稳定性。
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公开(公告)号：CN109399612B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201811274845.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: C01B32/168 , C01B32/16
Abstract: 本发明公开了一种悬空碳纳米管阵列及其制备方法。该制备方法包括：制备碳纳米管网状薄膜；在基底上制备多个沿第一方向延伸的沟槽；将碳纳米管网状薄膜放置于基底设置有沟槽的一侧；采用激光光束辐照沟槽上的碳纳米管网薄膜，以形成悬空碳纳米管阵列；其中，沿第一方向，激光光束的脉冲频率为第一预设值；沿垂直于第一方向，激光光束的脉冲频率为第二预设值；第一预设值大于所述第二预设值。本发明实施例提供的悬空碳纳米管阵列的制备方法，通过在沿沟槽的延伸方向施加脉冲频率相对较高的激光光束，并在沿垂直于沟槽的延伸方向施加脉冲频率相对较低的激光光束，可以保留部分沿垂直于沟槽的延伸方向的碳纳米管，得到全碳结构的悬空碳纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN107145038B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710150037.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基于大面积超分辨激光直写系统的图形刻写方法，通过将源图形文件进行一定角度顺时针或逆时针旋转，并沿周期性边界裁剪校正，进而输出多个已分割并编号的单帧刻写图形，用以整合扫描方向和步进方向刻写效果的差异，使得最终刻写出的大面积微纳结构在笛卡尔坐标系的X/Y方向均具有良好的均匀性，大幅度提高了光栅扫描步进式激光直写系统在多种材料上的刻写质量和成品率。通过本发明，使得利用激光直写系统进行器件制备、材料研究的成功率和精确性得到显著提升。
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公开(公告)号：CN109612975A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811496149.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼基底及其制备方法。所述表面增强拉曼基底包括含有纳米孔的第一金属纳米膜以及沉积在其表面的第二金属纳米膜。所述制备方法包括(1)在衬底上沉积第一金属纳米膜，所述第一金属纳米膜的厚度在25nm以下；(2)在步骤(1)所述第一金属纳米膜上激光直写获得含有纳米孔的第一金属纳米膜；(3)在步骤(2)所述含有纳米孔的第一金属纳米膜上沉积第二金属，得到所述表面增强拉曼基底。本发明提供的表面增强拉曼基底的灵敏度极高，对其进行R6g分子灵敏度分析，检测极限可达10-15mol/L。本发明提供的制备方法利用激光直写制备纳米孔结构，方法简单，流程短，产品灵敏度高。
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公开(公告)号：CN103373712A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210121062.9
申请日：2012-04-23
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: C01B19/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种硫系相变化合物与半导体基底产品及其制备方法与应用。所述半导体基底产品的制备方法包括在基底表面沉积抗刻蚀薄膜，并通过将所述抗刻蚀薄膜的一部分去除的方式在所述基底上形成抗刻蚀图案，然后对所述半导体基底进行刻蚀，沉积抗刻蚀薄膜的靶材为硫系相变化合物，所述硫系相变化合物的通式为：GeaSbc-xTebBix，其中，a、b、c、x为原子百分比，且a+b+c＝100，19≤a≤27，54≤b≤62，19≤c≤27，0≤x≤c。本发明半导体基底产品的制备方法获得的抗刻蚀薄膜厚度均匀且同时具有正胶和负胶的特性；可在各种波长的光下进行选择性曝光；而且本发明的方法制备工艺简单；所得半导体基底产品具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101935014A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910088086.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及基于激光直写金属薄膜可控制备纳米点阵的方法，其包括采用在衬底上沉积金属膜层，膜厚控制在5nm～200nm；使用激光直写系统，经过系统光路聚焦，在沉积得到的金属膜层上进行刻写；充分利用激光光束的高斯分布特性和膜层材料与激光光束作用时的非线性特征，优化膜层厚度和刻写激光的脉宽和离焦量，改变刻写功率，从而实现大面积纳米点阵的制备。本发明的方法制备的纳米点阵具有分辨率可达20nm，同时刻写功率与点阵孔径线性可控的特点。
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公开(公告)号：CN101748366A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010033715.9
申请日：2010-01-11
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明提供一种超细晶金属或合金薄膜及其制备方法。其中制备超细晶金属薄膜的方法包括以下步骤：步骤1)选取基底，对其进行清洗和干燥处理；步骤2)采用物理气相沉积工艺，生长一层金属In，Sn，Zn或Bi薄膜；步骤3)表面氧化步骤2)的薄膜；重复步骤2)和步骤3)，直至薄膜达到所需厚度。采用本发明的方法所获得的金属或合金薄膜的晶粒尺寸在5nm-50nm，并且工艺简单可控、产品尺寸形貌均一、成本低廉，无需将现有设备进行改动即可得到超细晶薄膜。
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公开(公告)号：CN113046685B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110262183.4
申请日：2021-03-10
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明涉及一种柔性镂空掩模板及其制备方法和应用。所述柔性镂空掩模板由聚乙烯醇和碳材料组成，所述碳材料包括石墨烯、氧化石墨烯或碳纳米管中的任意一种或多种的组合。所述柔性镂空掩模板可柔性覆盖在基片上，实现对基片的充分贴合，进而可在微纳尺度上实现电极等材料的沉积制备，使用过程无液体环境，避免影响基片材料和结构的性能，且制备简单，成本低廉，在微纳加工领域具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN111381435B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201811630222.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元掩模板。该表面等离激元掩模板包括透明衬底和设置于透明衬底一侧的金属层；金属层包括至少一个周期结构；周期结构包括至少两个表面等离激元掩模单元；每个表面等离激元掩模单元包括两条形状相同的狭缝，沿垂直于狭缝的延伸方向，同一表面等离激元掩模单元的两条形状相同的狭缝的宽度相同；狭缝在垂直于金属层所在平面的方向上的尺寸与金属层的厚度相同；沿垂直于狭缝的延伸方向，同一表面等离激元掩模单元的两条狭缝的中心之间的距离满足：其中，di表示第i个表面等离激元掩模单元中两条狭缝的中心之间的距离；i表示正整数；n表示非负整数。本发明的技术方案，可以实现多种由纳米条带构成的复杂图形。
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公开(公告)号：CN108663387B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810469345.X
申请日：2018-05-16
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供了一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法。本发明的湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。本发明湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，成本低、效率高，可将粘附于基底上的纳米颗粒完整转移至TEM支持膜上，转移后的纳米颗粒无团聚、无损伤，便于纳米颗粒TEM样品的高分辨晶格等性能表征。
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