公开(公告)号：CN101556971B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910068787.4

申请日：2009-05-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  岳强 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  C23C16/505 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。

公开(公告)号：CN101556971A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910068787.4

申请日：2009-05-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  岳强 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  C23C16/505 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。