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公开(公告)号：CN114759095A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210379433.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种同型异质结复合沟道TFT器件及其制备方法，所述TFT器件结构根据栅电极层所在位置不同，分为底栅结构TFT器件和顶栅结构TFT器件。本发明专利针对非晶IGZO材料及沟道界面处高密度氧空位相关缺陷态所造成的TFT器件电流携载能力下降与可靠性退化等关键问题，创新性地采用nN型a‑IGZO:N/ITO:N同型异质结沟道结构设计与氮掺杂的方法，以有效抑制缺陷的俘获效应，实现TFT器件高性能与高可靠性应用。
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