公开(公告)号：CN102184944B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110112400.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  钟大伟 ,  夏晓娟 ,  张长春 ,  张瑛

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种横向功率器件结终端结构至少包含依次相连的三个半导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏极区(或阴极)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形3D场板，分别与栅极和漏极电学接触，同时侧壁场板需要垂直延伸超过衬底表面进入衬底内部。采用该结构制造横向PN二极管、横向扩散场效应晶体管LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有击穿电压高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN102184944A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110112400.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  钟大伟 ,  夏晓娟 ,  张长春 ,  张瑛

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种横向功率器件结终端结构至少包含依次相连的三个半导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏极区(或阴极)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形3D场板，分别与栅极和漏极电学接触，同时侧壁场板需要垂直延伸超过衬底表面进入衬底内部。采用该结构制造横向PN二极管、横向扩散场效应晶体管LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有击穿电压高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。