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公开(公告)号：CN117870847A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310203589.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器。包括硅衬底，硅衬底上设置有第一引脚支撑和第二引脚支撑，二者都通过硅柱固定在硅衬底上。第一引脚支撑和第二引脚支撑之间通过第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑连接，构成一个中间有长条状空腔的双桥结构。第一引脚支撑侧及中间双桥结构部分由下至上依次设置有n‑GaN层，量子阱层，p‑GaN层，第一引脚电极，构成发光二极管。第二引脚支撑上设置有第二引脚电极。双桥结构长条状空腔顶部设置有MoS2薄膜。本发明利用MoS2薄膜随声波振动的物理特性和在发光二极管激发下的发光特性，通过光电探测器监测MoS2发出的光功率变化，并汇总到电源控制和监测模块上，实现声波传感功能。
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