公开(公告)号：CN107294542A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710367263.X

申请日：2017-05-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孔令军 ,  李骏 ,  薛文

IPC: H03M13/11 ,  G06F11/10

Abstract: 本发明公开了MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，包括对MLC闪存进行双层LDPC码的编码，以及进行双层LDPC码的译码。本发明为高密度低功耗闪存存储可靠性问题提供了一种有效的解决方法，对提升MLC闪存存储器的综合性能有着深远意义。

公开(公告)号：CN107294542B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710367263.X

申请日：2017-05-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孔令军 ,  李骏 ,  薛文

IPC: H03M13/11 ,  G06F11/10

Abstract: 本发明公开了MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，包括对MLC闪存进行双层LDPC码的编码，以及进行双层LDPC码的译码。本发明为高密度低功耗闪存存储可靠性问题提供了一种有效的解决方法，对提升MLC闪存存储器的综合性能有着深远意义。