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公开(公告)号：CN117973298A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410243471.9
申请日：2024-03-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种短沟道负电容围栅场效应晶体管的数值模拟方法，构建结构为MFIS的短沟道负电容围栅场效应晶体管NC‑GAAFET的源漏电流模型；对常规的GAAFET的源漏电流模型进行解析，求解圆柱形二维泊松方程得到的静电势；根据源区和漏区附近的边界条件得到源漏电流Ids，并计算漏致势垒降低效应参数；耦合常规的短沟道GAAFET的源漏电流模型，并结合挠曲电效应，得到NC‑GAAFET的源漏电流模型；计算NC‑GAAFET的亚阈值摆幅；步骤6：重复步骤2到步骤5，调整不同的铁电层厚度、结构参数以及挠曲电系数，得到不同情况下的电学性能。
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