公开(公告)号：CN105529410B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610063245.8

申请日：2016-01-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  张帅 ,  章琴 ,  黄维

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤：S1、将玻璃基底进行表面除污、除水处理；S2、将气相沉积法得到的石墨烯转移在表面除污、除水处理后的玻璃基底层上；S3、将空穴传输层附着在石墨烯膜层上；S4、将电致发光器件发光层附着在空穴传输层上；S5、将电子传输层附着于有机电致发光器件发光层上；S6、将不透明金属电极层附着于电子传输层之上；S7、通过对电致发光器件进行电场处理抑制电流迟滞现象，提升器件光电性能。本发明方法简单易行、效果明显，所获电致发光器件能最佳。

公开(公告)号：CN105529410A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610063245.8

申请日：2016-01-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  张帅 ,  章琴 ,  黄维

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/5206 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/56

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤：S1、将玻璃基底进行表面除污、除水处理；S2、将气相沉积法得到的石墨烯转移在表面除污、除水处理后的玻璃基底层上；S3、将空穴传输层附着在石墨烯膜层上；S4、将电致发光器件发光层附着在空穴传输层上；S5、将电子传输层附着于有机电致发光器件发光层上；S6、将不透明金属电极层附着于电子传输层之上；S7、通过对电致发光器件进行电场处理抑制电流迟滞现象，提升器件光电性能。本发明方法简单易行、效果明显，所获电致发光器件能最佳。

公开(公告)号：CN107032341B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710164123.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  章琴 ,  周永芳 ,  黄维

IPC: C01B32/194 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。修饰方法为基底的清洗；基底与石墨烯薄膜层的结合；界面修饰薄膜层的制备，得石墨烯材料。本发明石墨烯材料经过修饰后形成石墨烯p型或n型掺杂，通过提升或降低功函数，减少石墨烯与功能层的势垒高度，利于载流子的迁移；提高导电性，减少器件漏电，适合用于柔性光电或电子元器件。

公开(公告)号：CN107068867A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710213690.2

申请日：2017-04-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  章琴 ,  汪成新 ,  黄维

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/422 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/4206

Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，具体为一种钙钛矿太阳能电池，包括从下到上依次布置的透明导电电极层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、空穴阻挡层以及金属电极层；所述空穴传输层采用红荧烯制备而成，或者采用PEDOT:PSS与红荧烯复合材料制备而成，其中PEDOT:PSS与红荧烯的厚度比为5：（3‑5）。其相对于现有技术转换效率、开路电压更高。

公开(公告)号：CN107032341A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710164123.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  章琴 ,  周永芳 ,  黄维

IPC: C01B32/194 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5008 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。修饰方法为基底的清洗；基底与石墨烯薄膜层的结合；界面修饰薄膜层的制备，得石墨烯材料。本发明石墨烯材料经过修饰后形成石墨烯p型或n型掺杂，通过提升或降低功函数，减少石墨烯与功能层的势垒高度，利于载流子的迁移；提高导电性，减少器件漏电，适合用于柔性光电或电子元器件。