公开(公告)号：CN107032341A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710164123.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  章琴 ,  周永芳 ,  黄维

IPC: C01B32/194 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5008 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。修饰方法为基底的清洗；基底与石墨烯薄膜层的结合；界面修饰薄膜层的制备，得石墨烯材料。本发明石墨烯材料经过修饰后形成石墨烯p型或n型掺杂，通过提升或降低功函数，减少石墨烯与功能层的势垒高度，利于载流子的迁移；提高导电性，减少器件漏电，适合用于柔性光电或电子元器件。

公开(公告)号：CN107032341B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710164123.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  章琴 ,  周永芳 ,  黄维

IPC: C01B32/194 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。修饰方法为基底的清洗；基底与石墨烯薄膜层的结合；界面修饰薄膜层的制备，得石墨烯材料。本发明石墨烯材料经过修饰后形成石墨烯p型或n型掺杂，通过提升或降低功函数，减少石墨烯与功能层的势垒高度，利于载流子的迁移；提高导电性，减少器件漏电，适合用于柔性光电或电子元器件。