公开(公告)号：CN115598092A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211392234.6

申请日：2022-11-08

Applicant: 南京邮电大学(CN)

Inventor： 余柯涵 ,  陈庆鹏 ,  樊硕 ,  赵浩宇 ,  甘凡 ,  胡二涛 ,  郑加金

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/01 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明公开了一种基于介电常数近零的D型光子晶体光纤折射率传感器，包括纤芯，纤芯为D型光子晶体光纤，截面形状由圆弧和弦组成，在D型光子晶体光纤的弦的中部设置有开口环形通道，在开口环形通道的内表面附着超薄导电氧化物薄膜，所述超薄导电氧化物在设定厚度情况下，在通信C波段具有介电函数近零的现象。本发明所使用的超薄导电氧化物的ENZ模式可以在通信C波段取代金的表面等离激元效应，具有对折射率灵敏度高且成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN115572960A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211244977.9

申请日：2022-10-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 余柯涵 ,  樊硕 ,  赵浩宇 ,  陈庆鹏 ,  甘凡 ,  郑加金 ,  胡二涛

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明公开了一种用等离子体刻蚀法制备二维层状MXene材料的方法。本方法以MAX相(A组分为硅或铝)为前驱体，电离氯化物蒸汽产生含氯自由基作为刻蚀剂，与A组分快速反应成为挥发性的三氯化铝或四氯化硅，留下固体产物即为MXene材料。对比传统的湿法刻蚀和熔融盐法制备MXene，本发明无需使用高毒性和强腐蚀性的氟化物，也不需要用到高温处理，具有安全绿色、环境友好的优点。

公开(公告)号：CN115693395A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211353786.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 余柯涵 ,  甘凡 ,  樊硕 ,  陈庆鹏 ,  赵浩宇 ,  郑加金 ,  韦玮

IPC: H01S5/068 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明涉及光学相干层析成像技术领域，具体地说，是一种窄线宽高速扫频激光光源，整体为短环形腔结构，包括半导体光放大器、两个隔离器、光纤F‑P滤波器、保偏光纤和光纤耦合器。由光纤耦合器输出的激光经过二级半导体光放大器再次放大，最终得到了窄线宽高速的扫频激光光源。该扫频激光光源解决了在1310nm波段扫描速度不够快、调谐范围不够宽、线宽不够窄的问题。在光学相干层析成像技术上可以实现轴向分辨率较高、成像范围较深的图像输出。在光纤光栅传感解调上可以实现高速线性的解调能力。本发明对于制备高性能、低成本、窄线宽、高速的扫频激光光源具有重要的实用意义。