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公开(公告)号：CN116316063A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310127773.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法，结构包括：衬底层、底层GaN层、多孔GaN层、AlGaN‑n层、n电极、GaN/InGaN成对组成的多层量子阱有源层、AlGaN‑p阻挡层、GaN‑p层、p电极和光子晶体层。本发明提出利用折射率低及可控的多孔GaN作为包覆层，结合表面刻蚀型光子晶体结构，和优化的层结构设计，能够实现有源层与表面光子晶体层同时具有较高的谐振光场耦合强度，利于实现低阈值、高效、高性能的光激射，从而实现一种新型的GaN‑PCSEL。
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