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公开(公告)号：CN107647866A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710854425.2
申请日：2017-09-20
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 刘瑞兰 , 张夏婉 , 戎舟
IPC: A61B5/053
Abstract: 本发明公开了一种基于偏最小二乘方法的电阻抗成像方法采用电阻抗成像方法，分别在空载和放置成像目标两种模式下进行电流激励，采集两种模式下测量的边界电压，通过求得的边界电压变化矩阵以及敏感矩阵信息，利用偏最小二乘方法计算出目标区域阻抗分布变化，从而实现电阻抗图像重建。本发明的方法修正了图像重构的结果，提高了电阻抗成像的成像质量。
