公开(公告)号：CN107017282A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710096610.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 周骏 ,  成建兵 ,  袁晴雯

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。

公开(公告)号：CN107017282B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201710096610.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 周骏 ,  成建兵 ,  袁晴雯

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。

公开(公告)号：CN106887466A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710019345.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 袁晴雯 ,  成建兵 ,  周骏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7825 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结在反向电场下更易耗尽；另一方面还将变掺杂思想引入新结构，将漂移区中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极至漏极逐渐降低。本发明的新型阶梯掺杂P柱区的二维类超结LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区电荷，提高器件击穿电压的同时保持了较好的导通特性；并且，工艺简单，易于制造，可进一步降低生产成本。