公开(公告)号：CN109636740A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811345301.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘宁 ,  彭杰 ,  许吉 ,  李苗苗 ,  曹海杰 ,  刘宇昕 ,  杨超 ,  马新华 ,  李奕彤 ,  吴锦值

IPC: G06T5/00 ,  G06T7/38

CPC classification number: G06T5/007 ,  G06T7/38 ,  G06T2207/10048

Abstract: 本发明公开了一种红外图像多尺度智能化非均匀性校正方法，涉及图像探测与处理技术领域，红外图像中的非均匀性会导致图像质量和显示严重降低，基于场景的非均匀性校正已经成为处理非均匀性的一种非常有效的方法，本发明提出了一种采用时域投影的基于场景配准的非均匀性校正方法以及其在硬件设备上的具体实现。发明了一个新的投影估计量来计算相邻帧的相对位移，利用一个行和列向量来分别计算行、列方向的位移且不会降低精度。还发明了一种改进的增益系数校正方法，它是用校正过的偏移系数来校正增益系数。本发明具有精度高、收敛速度快、计算量小、存储量低等优点，并已在小体积、低功耗的单一核心的FPGA上实现。

公开(公告)号：CN109063833B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201811272115.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 肖建 ,  张粮 ,  张健 ,  童祎 ,  洪聪 ,  吴锦值

IPC: G06N3/065

Abstract: 本发明提出一种基于忆阻器的神经网络突触阵列电路，用于连接神经网络中前一层神经元与后一层神经元；该电路包括突触阵列，突触阵列包括n*m个突触结构，每个突触结构由一个肖基特二极管和一个忆阻器件串联而成；肖基特二极管的阳极作为突触结构的输入端，肖基特二极管的阴极与忆阻器件的输入端相连，忆阻器件的输出端作为突触结构的输出端；位于同一行的m个突触结构的输入端相连，作为本行突触阵列的输入端；而位于同一列的n个突触结构的输出端相连，作为本列突触阵列的输出端；所述突触阵列共有n个输入端和m个输出端。本发明能够防止忆阻器电路在信息处理过程中发生多路漏电流现象；且能够根据实际输入信号的规模和特点进行扩展和改变。

公开(公告)号：CN109636740B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201811345301.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘宁 ,  彭杰 ,  许吉 ,  李苗苗 ,  曹海杰 ,  刘宇昕 ,  杨超 ,  马新华 ,  李奕彤 ,  吴锦值

IPC: G06T5/00 ,  G06T7/38

Abstract: 本发明公开了一种红外图像多尺度智能化非均匀性校正方法，涉及图像探测与处理技术领域，红外图像中的非均匀性会导致图像质量和显示严重降低，基于场景的非均匀性校正已经成为处理非均匀性的一种非常有效的方法，本发明提出了一种采用时域投影的基于场景配准的非均匀性校正方法以及其在硬件设备上的具体实现。发明了一个新的投影估计量来计算相邻帧的相对位移，利用一个行和列向量来分别计算行、列方向的位移且不会降低精度。还发明了一种改进的增益系数校正方法，它是用校正过的偏移系数来校正增益系数。本发明具有精度高、收敛速度快、计算量小、存储量低等优点，并已在小体积、低功耗的单一核心的FPGA上实现。

公开(公告)号：CN109063833A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811272115.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 肖建 ,  张粮 ,  张健 ,  童祎 ,  洪聪 ,  吴锦值

IPC: G06N3/063

CPC classification number: G06N3/063

Abstract: 本发明提出一种基于忆阻器的神经网络突触阵列电路，用于连接神经网络中前一层神经元与后一层神经元；该电路包括突触阵列，突触阵列包括n*m个突触结构，每个突触结构由一个肖基特二极管和一个忆阻器件串联而成；肖基特二极管的阳极作为突触结构的输入端，肖基特二极管的阴极与忆阻器件的输入端相连，忆阻器件的输出端作为突触结构的输出端；位于同一行的m个突触结构的输入端相连，作为本行突触阵列的输入端；而位于同一列的n个突触结构的输出端相连，作为本列突触阵列的输出端；所述突触阵列共有n个输入端和m个输出端。本发明能够防止忆阻器电路在信息处理过程中发生多路漏电流现象；且能够根据实际输入信号的规模和特点进行扩展和改变。

公开(公告)号：CN208922326U

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201821762448.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 肖建 ,  张健 ,  童祎 ,  张粮 ,  吴锦值 ,  洪聪

IPC: G06N3/063

Abstract: 本实用新型提出一种基于忆阻器阵列的神经网络突触觉结构，用于连接神经网络中前一层神经元与后一层神经元；该神经网络突触觉结构包括突触阵列，突触阵列包括n*m个突触结构，每个突触结构由一个肖基特二极管和一个忆阻器件串联而成；肖基特二极管的阳极作为突触结构的输入端，肖基特二极管的阴极与忆阻器件的输入端相连，忆阻器件的输出端作为突触结构的输出端；位于同一行的m个突触结构的输入端相连，作为本行突触阵列的输入端；而位于同一列的n个突触结构的输出端相连，作为本列突触阵列的输出端；所述突触阵列共有n个输入端和m个输出端。本实用新型能够防止忆阻器电路在信息处理过程中发生多路漏电流现象；且能够根据实际输入信号的规模和特点进行扩展和改变。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利