公开(公告)号：CN107421567B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201710417412.9

申请日：2017-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 涂真珍 ,  吕兰兰 ,  王韦刚

IPC: G01D5/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种扭转型碳纳米管的实现方法及其在传感器上的应用，本发明根据高阶Cauchy‑Born准则建立碳纳米管几何结构，并通过本方法得到扭转型碳纳米管模型，运用第一性原理及相关内容对扭转后的碳纳米管进行分析，得到扭转型碳纳米管的光电性能(包括能带曲线和电子态密度曲线)，并从该过程构建得到扭转型碳纳米管的传感器。本发明方法得到的扭转型碳纳米管传感器，具有体积小、重量轻、光电敏感度高等特点，可以用于工业生产、污水处理、医学诊断以及生物工程等领域。

公开(公告)号：CN108336244A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810109220.6

申请日：2018-02-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 涂真珍 ,  吕兰兰 ,  冯增勤

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法。从下到上依次包括ITO透明导电玻璃基片阳极基底、40 nm的PEDOT:PSS空穴传输层、50 nm的钙钛矿发光层、10 nm的IPFB界面修饰层、45 nm的TPBi电子传输层、1 nm的LiF电子注入层和100 nm的Al阴极层。本发明制备的基于界面修饰的钙钛矿发光二极管工艺简单、成本低廉，并且膜表面粗糙度低、结晶性好，适合应用于大面积制备高效的钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光敏元件和激光器件。

公开(公告)号：CN107421567A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710417412.9

申请日：2017-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 涂真珍 ,  吕兰兰 ,  王韦刚

IPC: G01D5/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种扭转型碳纳米管的实现方法及其在传感器上的应用，本发明根据高阶Cauchy-Born准则建立碳纳米管几何结构，并通过本方法得到扭转型碳纳米管模型，运用第一性原理及相关内容对扭转后的碳纳米管进行分析，得到扭转型碳纳米管的光电性能(包括能带曲线和电子态密度曲线)，并从该过程构建得到扭转型碳纳米管的传感器。本发明方法得到的扭转型碳纳米管传感器，具有体积小、重量轻、光电敏感度高等特点，可以用于工业生产、污水处理、医学诊断以及生物工程等领域。