公开(公告)号：CN118693492A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410875905.7

申请日：2024-07-02

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 潘子扬 ,  江昊儒 ,  刘洋均 ,  吕云鹏

IPC: H01P1/212 ,  H01P1/203

Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜陶瓷工艺的宽带小型化滤波器芯片，包括上层金属微带线，中间层微带介质板，以及下层接地金属板；金属微带线包括一对输入/输出馈线、一对弯折耦合线、平行多线耦合线和蜿蜒线；输入/输出馈线位于同一直线上；平行多线耦合线至少包括三根相同的平行耦合线，耦合通过间隙形成；一端连接一对弯折耦合线的连接处，且与弯折耦合线垂直；另一端与蜿蜒线相连，且与蜿蜒线垂直；弯折耦合线以及蜿蜒线均关于平行多线耦合线镜像对称。本发明通过中央紧耦合线的结构，实现了对于C、X波段的覆盖，并且实现良好的带外抑制。与现有技术相比，本发明实现优越的频带选择性、低插入损耗和良好的阻抗匹配。

公开(公告)号：CN118868837A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410835041.6

申请日：2024-06-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 吕云鹏 ,  刘洋均 ,  潘子扬 ,  江昊儒 ,  祝雷 ,  程崇虎

IPC: H03H7/01

Abstract: 本发明公开了一种高性能宽带薄膜IPD滤波器芯片，包括上层的金属微带线和MIM电容，中间层的微带介质板，贯穿微带介质板的金属柱和绝缘介质柱，以及下层的接地金属板；其中金属微带线包括一对输入/输出馈线，螺旋线型结构的第一至第四电感，折线型结构的第五、第六电感，叉指型结构的第一、第二电容，以及用于连接电感、MIM电容的金属桥；MIM电容包括第三至第七电容；通过HFSS建模和ADS仿真电路模型，找到易受寄生电容影响的导致滤波器性能恶化的第三电容和第四电容，在其下方设置绝缘介质柱可以有效地降低寄生电容的影响，优化滤波器芯片性能。本发明不仅可以满足滤波器芯片小尺寸、低成本、低损耗的要求，还可以优化滤波器芯片的性能。