公开(公告)号：CN116801644A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310739301.5

申请日：2023-06-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 凌海峰 ,  王杰 ,  郑朝月 ,  解令海 ,  付敬伟 ,  和翔

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/80 ,  H10K10/82 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，公开了一种单极性调控的双机制有机忆阻晶体管及其制备方法。该双机制有机忆阻晶体管从下至上依次设置包含栅极的衬底层、电解质层、电荷捕获层、半导体层、源极和漏极，双机制有机忆阻晶体管具有单极性电压幅值依赖塑性，通过调节漏极电压大小来调节电导增强或减弱，在所述双机制有机忆阻晶体管实现SVDP特性。本发明在忆阻晶体管中实现SVDP特性，通过引入双重电荷机制，利用两种机制之间的竞争作用，小幅值的刺激电压实现兴奋，大幅值的刺激电压实现抑制，在忆阻晶体管漏极实现SVDP特性，通过改变栅极的电压，可以调节SVDP特性，可以模拟更加丰富的突触行为。

公开(公告)号：CN115696940A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211384331.0

申请日：2022-11-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 凌海峰 ,  华静 ,  王乐 ,  付敬伟 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H10K30/65

Abstract: 本发明公开一种有机突触晶体管及其在自适应视觉仿生方面的应用，属于仿生电子信息技术领域，该有机突触晶体管器件的聚合物薄膜层具有多孔微纳结构，源漏电极层和有机光敏半导体层利用聚合物薄膜的自模板化作用均呈现周期性生长的多孔微纳形貌；光敏半导体界面处的多孔微纳结构有助于光生激子的捕获和分离，进而提高器件光敏性能；且该有机突触晶体管在阶梯式光强脉冲刺激下，沟道内源漏电流随光强增大而增大，但电流增益逐渐减缓，易失性逐步增强，这种阶梯式刺激下的电流响应趋势与人眼视觉自适应行为相类似，有助于人眼自适应突触功能的实现。