公开(公告)号：CN104310482A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410512418.0

申请日：2014-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宇文力辉 ,  汪联辉 ,  于欢 ,  张琦 ,  张玉倩

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G39/06 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/20

Abstract: 本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。