公开(公告)号：CN105841725B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201610180054.X

申请日：2016-03-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  张帆 ,  丁梦雪

IPC: G01D5/38

Abstract: 本发明公开了基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法，本方案的单片集成是利用分别在光源区和探测区的耦合光栅，实现将有源区和无源区的光子衍射导入导出来完成的。该器件的传感原理是通过周围介质对悬空的平面波导内光子的传输损耗与介质折射率的关系来实现的。通过微纳加工正面刻蚀III‑V族化合物材料实现耦合光栅和平面光子波导，并结合正面或背面释放硅基底和减薄III‑V族化合物材料的微纳刻蚀方法来制备该单片集成传感器。本发明所公开的传感器的特点是具有灵敏传感响应的、便捷的微型单芯片传感器，并以此可以实现对不同介质的基于不同波段的检测和特殊环境下的传感探测。

公开(公告)号：CN105841725A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610180054.X

申请日：2016-03-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  张帆 ,  丁梦雪

IPC: G01D5/38

CPC classification number: G01D5/38

Abstract: 本发明公开了基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法，本方案的单片集成是利用分别在光源区和探测区的耦合光栅，实现将有源区和无源区的光子衍射导入导出来完成的。该器件的传感原理是通过周围介质对悬空的平面波导内光子的传输损耗与介质折射率的关系来实现的。通过微纳加工正面刻蚀III?V族化合物材料实现耦合光栅和平面光子波导，并结合正面或背面释放硅基底和减薄III?V族化合物材料的微纳刻蚀方法来制备该单片集成传感器。本发明所公开的传感器的特点是具有灵敏传感响应的、便捷的微型单芯片传感器，并以此可以实现对不同介质的基于不同波段的检测和特殊环境下的传感探测。

公开(公告)号：CN105742139A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610203113.0

申请日：2016-03-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘启发 ,  张洋 ,  丁梦雪

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04

Abstract: 本发明公开了一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法，将材料低功函数的特性优势和微纳尖端结构大的场增强因子优势相结合，提出了在金属微纳尖锥结构和碳纳米管或碳纳米纤维结构表面，包覆沉积一层低功函数氧化物，形成新型的场发射阴极发射源。金属微纳尖锥的加工方法比较成熟，器件结构具备很高的稳定性和实用性；碳纳米管或碳纳米纤维是一种理想的一维纳米材料，有很大的长径比，耐高温，其作为阴极结构材料制备工艺简单，已经实现了各种成熟的阴极微纳结构。在此类微纳尖端模板上，包裹积一层稳定的30?250nm厚度的MgO、SrO、BaO、CaO、MgCaO、SrCaO等氧化物材料，从而实现具有更低开启电压和更高发射电流密度的场发射阴极。