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公开(公告)号:CN110064864B
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201910457047.3
申请日:2019-05-29
Applicant: 南京达迈科技实业有限公司 , 南京欧美达应用材料科技有限公司
IPC: B23K35/26 , B23K31/02 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅与金属连接的钎料、采用该钎料制备的焊膏与制法及用其焊接的方法,钎料包括In、Sn、Sb、Bi及Zn;焊膏包括质量比为4:1的钎料及助剂;焊膏制备时先按钎料组分配比原料,熔化成合金并制备成钎料粉末,将该钎料粉末与助剂混合配制即可;采用该焊膏进行焊接时在多晶硅和金属的结合面上各涂覆一层焊膏层,并在结合面上设置缝隙0.2~1.0mm,加热至150~200℃,熔敷、焊合即可。本发明的钎料及采用该钎料制备的焊膏能够将多晶硅靶与金属背板的结合率达到95%以上,达到了良好的异种材料绑定效果,且其成本低,提高了企业的利润;同时,焊膏的制备方法简单,采用该焊膏进行焊接的方法可操作性强。
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公开(公告)号:CN110064864A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201910457047.3
申请日:2019-05-29
Applicant: 南京达迈科技实业有限公司 , 南京欧美达应用材料科技有限公司
IPC: B23K35/26 , B23K31/02 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶硅与金属连接的钎料、采用该钎料制备的焊膏与制法及用其焊接的方法,钎料包括In、Sn、Sb、Bi及Zn;焊膏包括质量比为4:1的钎料及助剂;焊膏制备时先按钎料组分配比原料,熔化成合金并制备成钎料粉末,将该钎料粉末与助剂混合配制即可;采用该焊膏进行焊接时在多晶硅和金属的结合面上各涂覆一层焊膏层,并在结合面上设置缝隙0.2~1.0mm,加热至150~200℃,熔敷、焊合即可。本发明的钎料及采用该钎料制备的焊膏能够将多晶硅靶与金属背板的结合率达到95%以上,达到了良好的异种材料绑定效果,且其成本低,提高了企业的利润;同时,焊膏的制备方法简单,采用该焊膏进行焊接的方法可操作性强。
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公开(公告)号:CN111020509A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911354803.6
申请日:2019-12-25
Applicant: 南京欧美达应用材料科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种大面积陶瓷靶材组件的制造方法,包括如下过程:提供制造大面积陶瓷靶材组件所需的材料,包括背板、陶瓷靶材基片、导电胶;所述陶瓷靶材基片与背板连接固定的一面为第一焊接面,与第一焊接面相对的为溅射面,背板与陶瓷靶材基片连接固定的一面为第二焊接面;将陶瓷靶材基片的第一焊接面通过导电胶固定于背板的第二焊接面上,陶瓷靶材基片按环状跑道型进行拼接,相邻陶瓷靶材基片之间预留有缝隙;位于环状跑道侧边的陶瓷靶材基片和位于环状跑道端部的陶瓷靶材之间形成内部封闭空白区域,位于环状跑道两端的陶瓷靶材基片的侧边设置倒角。本发明提供的陶瓷靶材组件的制造方法,简单易行,便于加工,避免了靶材碎裂、脱靶等问题。
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公开(公告)号:CN214782106U
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202023303473.9
申请日:2020-12-30
Applicant: 南京欧美达应用材料科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型公开了一种磁控溅射镀膜磁性靶材,其特征在于所述磁性靶材是通过若干块同材质的磁性材料拼接而成,其拼接线的形状与磁场布局的形状一致。本实用新型所述靶材设计为多块靶材拼接而成,且拼接线按磁场布局设计,使磁力线可以沿拼接线轻松穿透,能够吸引离子轰击靶材表面,使磁性材料也能应用于各种磁控溅射镀膜中,丰富了靶材的多样性,便于生产更多样的镀膜材料。
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公开(公告)号:CN211339672U
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201922398725.1
申请日:2019-12-27
Applicant: 南京欧美达应用材料科技有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本实用新型公开了一种拼接型金属靶材,包括若干金属靶材片,每个所述金属靶材片至少设有一个相同的L型边,两个相邻金属靶材片中的其中一个金属靶材片的L型边正放,另一金属靶材片的L型边倒扣在正放的金属靶材片的L型边上。优点:本实用新型的金属靶材采用L型拼接,与现有技术的拼接相比不存在贯穿的缝隙,而且通过凹槽和凸起的设置,能够将相邻的靶材片牢牢固定在一起,能够防止靶材片偏移或者位移,进一步避免产生缝隙。
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