一种超稳定性GEM镀膜方法及工艺
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118348031A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410347392.2

    申请日:2024-03-25

    IPC分类号: G01N23/00 C23C16/38

    摘要: 本发明提出了一种超稳定性气体电子倍增器(GEM)镀膜方法及工艺该方法以氧化锆(ZrO2)为基材,采用化学气相沉积(CVD)技术镀覆富硼碳化硼(10B4C)薄膜,以增强其耐辐射和耐腐蚀能力。通过精确控制CVD过程,设定特定的孔径、孔间距和膜厚度,以优化GEM膜的增益性能和稳定性。在镀膜过程后,采用等离子体处理技术对镀覆表面进行改性,进一步提高了GEM膜的耐腐蚀性和耐辐照性。该等离子体处理不仅增加了膜层的表面粗糙度,以提高气体吸附效率,还通过表面激活增强了膜与基材之间的附着力。本发明的GEM镀膜方法通过结合高性能的陶瓷基材和先进的表面改性技术,显著提升了探测器的使用寿命和稳定性,并具有较好的可重复性和成本效益。

    一种基于深度强化学习的机器人自主寻源方法及装置

    公开(公告)号:CN113721613A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110968071.0

    申请日:2021-08-23

    IPC分类号: G05D1/02

    摘要: 本申请提供了一种基于深度强化学习的机器人自主寻源方法及装置。所述方法包括:建立放射源计数衰减模型和放射源计数分布模型;基于实际环境,建立寻源模拟环境,所述寻源模拟环境包括探测器、放射源和屏蔽物;基于所述放射源计数衰减模型和放射源计数分布模型,利用所述探测器在所述寻源模拟环境中沿着不同路径测量不同位置的所述放射源的放射性活度,并依据价值函数,确定探测器在每个状态下,不同动作对应的价值函数值,多次训练后以建立深度强化学习模型;基于所述深度强化学习模型,在实际环境中找到放射源。

    一种基于气体电子增强器技术的抗辐照反应堆中子探测系统

    公开(公告)号:CN118259337A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410363679.4

    申请日:2024-03-27

    IPC分类号: G01T3/00

    摘要: 这项发明涉及一种基于气体电子增强器(Gas ElectronMultiplier)技术的抗辐照反应堆中子探测系统。该系统包含一组抗辐照敏感的探测单元,每个单元都配备有一个气体探测器,气体探测器采用多层涂硼GEM膜,开发了一套读出算法,该算法也可以进行位置重建。此外,系统电路采用BiCMOS集成技术,减少了系统复杂性和封装体积,并采用H2、O2合成工艺热生长合成栅氧化层SiO2+Si3N4的复合层钝化方式,进行抗辐加固。该系统在高辐射环境下表现出色,能准确测量反应堆中子通量,具有较长的使用寿命。本发明的优势在于提供了一种先进、高性能的抗辐照反应堆中子探测系统,具备强大的抗辐射能力和高精度的测量性能。该系统不仅适用于反应堆领域,还可广泛用于核能领域的其他实验和研究。

    一种粒子束流电变量测量装置

    公开(公告)号:CN118033715B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410431384.6

    申请日:2024-04-11

    IPC分类号: G01T1/29

    摘要: 本发明涉及粒子束流电变量测量技术领域,公开了一种粒子束流电变量测量装置。包括转化工作室和密闭工作室,所述转化工作室置于所述密闭工作室外部的上端;所述转化工作室的内部设置转化层,所述转化层与所述密闭工作室沿粒子束流入射方向呈一定倾斜角度,所述倾斜角度为锐角;所述密闭工作室内充填工作气体,密闭工作室内由上至下依次设置漂移层、GEM层、二维读出板。该装置可高效、灵活、便捷的对粒子束流进行测量。

    一种粒子束流电变量测量装置

    公开(公告)号:CN118033715A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410431384.6

    申请日:2024-04-11

    IPC分类号: G01T1/29

    摘要: 本发明涉及粒子束流电变量测量技术领域,公开了一种粒子束流电变量测量装置。包括转化工作室和密闭工作室,所述转化工作室置于所述密闭工作室外部的上端;所述转化工作室的内部设置转化层,所述转化层与所述密闭工作室沿粒子束流入射方向呈一定倾斜角度,所述倾斜角度为锐角;所述密闭工作室内充填工作气体,密闭工作室内由上至下依次设置漂移层、GEM层、二维读出板。该装置可高效、灵活、便捷的对粒子束流进行测量。

    一种基于光电探测器的超高速射线图像识别方法

    公开(公告)号:CN114595740B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202210035471.0

    申请日:2022-01-13

    摘要: 本申请公开一种基于光电探测器的超高速射线图像识别方法,包括:获得多个经X射线穿过物体后的输入图像;搭建神经网络,并利用多个输入图像对神经网络进行训练和验证,得到训练验证后的神经网络,其中训练验证后的神经网络包括权重信息,且能够输出输入图像的类别信息;提取权重信息,构建多个输入图像对应的光电探测器的偏压处理器,偏压处理器能够通过对光电探测器的输出脉冲光电信号进行相应调整,实现神经网络的权重计算过程;利用偏压装置对光电探测器的电压进行不同的偏压调整,使得调整后的光电探测器将探测到的每一个像素产生的的脉冲光电信号也进行相应调整后,再按照神经网络中的对应关系连接,即可得到目标物体X射线图像的识别结果。

    一种低本底中子响应的GEM镀膜制造流程及工艺

    公开(公告)号:CN118374799A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410338189.9

    申请日:2024-03-22

    IPC分类号: C23C26/00

    摘要: 本发明提出了一种低本底中子响应的GEM镀膜制造流程及工艺,近年来GEM探测凭借制造简单、高增益、优秀的能量分辨率以及便宜的价格等优势迅速发展,应用在越来越多的场景下,中子探测就是其中一个热门的方向。而在中子探测的过程中,GEM膜中的Kapton(聚酰亚胺)因为其与中子反应会产生一些不想得到的粒子,进而影响探测的准确性和增益,因此需要一种低本底中子响应的膜来代替传统的Kapton膜。针对这一需求,本专利提出了利用Ceramic(陶瓷)来代替Kapton,大大降低了本底中子响应,为以后的GEM探测器在中子探测方向提供了新的思路。