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公开(公告)号：CN116631826A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310585469.5
申请日：2023-05-23
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明提出了一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法，依次包括表面清洁过程、铯氧激活过程以及铯氧再激活过程。铯氧激活过程中GaAs光电阴极被白光照射、铯氧再激活过程中阴极面被近红外光照射。被光照激发、逸出的光电子由监测系统收集，激活过程中阴极表面的反应通过光电流的变化实时反馈。通过控制外接电流源经过铯、氧源的电流大小调节铯、氧源通电放气量。本发明在传统GaAs光电阴极的Cs/O激活方法的基础上，通过近红外光光照下的Cs/O再激活过程显著提高了GaAs光电阴极对近红外波段光信号的响应能力，同时实现了GaAs光电阴极在其整个工作波段内光谱响应的提高。
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公开(公告)号：CN117766357A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311796134.4
申请日：2023-12-25
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法，即在超高真空阴极激活系统中进行的单次阴极激活过程中，共同使用Cs源、NF3源和O源完成GaAs基光电阴极的表面激活操作，该混合激活方法具有提高GaAs基光电阴极稳定性和光谱响应性能的效果。这一新型的混合激活方法包括了以下步骤：1、对GaAs、InGaAs和AlGaAs等GaAs基类的光电阴极进行表面清洗；2、转移样品至超高真空系统中并进行高温净化，使样品达到原子级清洁表面；3、采用白光光源对阴极样品进行Cs/NF3激活；4、Cs/NF3激活结束后关闭NF3源，立即进行两次Cs/O交替激活，当光电流达到最高点时关闭Cs源和O源结束激活。通过上述方式，本发明可以得到阴极稳定性更好、光谱响应更高的GaAs基光电阴极。
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公开(公告)号：CN118610293A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410708802.1
申请日：2024-06-03
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提出了一种微纳透射式GaAs光阴极组件及其制备方法、像增强器、成像传感器。所述微纳透射式GaAs光阴极组件包括玻璃、SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层、GaAs发射层及激活层依次叠加，SiO2过渡层、具备微纳结构阵列的GaAlAs缓冲层之间通过Si3N4填充介质填充。本发明给出了完整的具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的新型透射式GaAs光阴极组件的制备工艺流程，该工艺流程同时兼容了传统的反转工艺和新兴的微纳加工技术，能够得到具备形貌完整、周期性良好的微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的响应增强型透射式GaAs光阴极组件。应用本发明具备微纳结构阵列GaAlAs缓冲层的透射式GaAs光电阴极组件的像增强器与EBCOMS成像传感器，其光谱响应有明显提升。
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公开(公告)号：CN116631825A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310585496.2
申请日：2023-05-23
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明提出了一种532nm激光驱动的响应增强型光阴极电子源，该光阴极包括自下而上的GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构层、AlyGa1‑yAs缓冲层、AlzGa1‑zAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层，其中分布式布拉格反射镜结构层由10～30对AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层组成。本发明通过引入分布式布拉格反射镜结构，实现了减薄发射层厚度以提高时间响应速率的目的；同时调整分布式布拉格反射镜AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层的层数、层厚以及Al组分值x，实现了光阴极在532nm波长处光吸收的增强和量子效率的提升。
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