高堆积密度石墨烯/Ag-TCNQ材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN117987849A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211332958.1

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种高堆积密度的石墨烯/Ag‑TCNQ复合材料、制备方法及应用,以二维石墨烯水凝胶膜为载体,零维Ag‑TCNQ量子点负载在所述载体上,其步骤为:将还原的石墨烯抽滤成膜;将膜放入水和N‑甲基吡咯烷酮混合溶液中进行交换;将上述材料放入硝酸银溶液中静置一段时间,然后清水浸泡保存;再将材料加入含有有机配体7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的乙腈溶液,继续静置一段时间,用乙腈清洗表面,得到所述的复合材料。该材料展现了良好的电催化氧还原性能,通过调控复合材料的压缩程度可以调控在电化学反应过程中的电子转移数,在能源、催化等领域有展现了广泛的应用前景。

    晶格扭曲的氟掺杂钛基气体扩散电极、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN120026345A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202311574315.2

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本发明公开了晶格扭曲的氟掺杂钛基气体扩散电极、制备方法及其应用,电极材料为氟掺杂氧化钛电极材料,具有钛氧八面体晶胞扭曲结构,该电极材料尺寸为20~50nm;将该电极材料负载到碳基底上经处理得到气体扩散电极。将此电极应用于电解池阴极时展现出优异的耐酸碱电解液的电催化还原合成双氧水性能,通过调控实验参数,可以调节电极中二氧化钛八面体的扭曲程度,加强电极对强酸强碱电解液的耐受能力,实现超高的气体质量传输效率和氧气利用率,避免了电解液的pH对电极的高能量损耗。

    缺陷调控的石墨烯/Ag-TCNQ量子点复合材料

    公开(公告)号:CN114073988A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010850874.1

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明涉及一种缺陷调控的石墨烯/Ag‑TCNQ量子点复合材料,以2维低缺陷石墨烯为载体,0维Ag‑TCNQ量子点负载在所述载体上,其步骤为:将硝酸银溶液置于低缺陷石墨烯悬浮液静置反应一段时间,乙腈离心洗涤,加入有机配体7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的乙腈溶液,继续静置反应一段时间,离心收集产物,得到所述的复合材料。该材料展现了良好的电催化氧还原性能,通过调控石墨烯的缺陷程度可以改变在电化学反应过程中的电子转移数(二电子或四电子),使其在能源、催化等领域有广泛的应用前景。

    原位生长的二维导电金属有机化合物阵列

    公开(公告)号:CN110624607A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910800483.6

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种原位生长的二维导电金属有机化合物阵列,它包括作为载体的三维基底,及其在三维基底上原位生长的二维导电纳米片阵列,其步骤为:将2,5-噻吩二羧酸配体溶解于乙醇中;将三维基底置于上述溶液中,在密闭容器中反应;将得到的产物洗涤、干燥,得到所述阵列。该方法所得材料不需要额外金属源,由泡沫基底提供,具有优良的导电性和规则排列的二维阵列结构,可以有效地进行电荷和物质传输,从而在能源、催化等领域中具有广泛的应用前景。

    缺陷调控氧化锌气体扩散电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117673374A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202211063163.5

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种缺陷调控氧化锌气体扩散电极及其制备方法和应用,首先,将乙酸锌和2‑萘磺酸分别溶解在氢氧化钠溶液和水中,将上述两种溶液混合,在密闭容器中反应,将得到的产物洗涤、干燥,即得到ZnO晶体;其次,通过真空等离子体处理ZnO晶体,形成表面氧空位结构;最后,将上面得到的材料作为催化剂分散在异丙醇和纯水中,加入nafion,将分散液均匀喷涂在基底上,形成气体扩散电极,进行大电流二电子氧化原性能测试。该电621mg极 h在电‑1 cm化学测试电‑1,法拉第效率为流密度达98.12%到1A, 展现出目前报道的最高cm‑2时,H2O2产率可达活性,从而在能源、催化、环境等领域中具有诱人的应用前景。

    缺陷调控的石墨烯/Ag-TCNQ量子点复合材料

    公开(公告)号:CN114073988B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202010850874.1

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明涉及一种缺陷调控的石墨烯/Ag‑TCNQ量子点复合材料,以2维低缺陷石墨烯为载体,0维Ag‑TCNQ量子点负载在所述载体上,其步骤为:将硝酸银溶液置于低缺陷石墨烯悬浮液静置反应一段时间,乙腈离心洗涤,加入有机配体7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的乙腈溶液,继续静置反应一段时间,离心收集产物,得到所述的复合材料。该材料展现了良好的电催化氧还原性能,通过调控石墨烯的缺陷程度可以改变在电化学反应过程中的电子转移数(二电子或四电子),使其在能源、催化等领域有广泛的应用前景。

    0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110876960B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201911087854.7

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料的制备方法。所述方法将硝酸银溶于水中,先加入1‑甲基‑2吡咯烷酮,搅拌混合均匀后加入石墨烯水凝胶,静置反应得到石墨烯水凝胶/银复合材料,然后将石墨烯水凝胶/银复合材料加入到饱和的7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的乙腈溶液中,静置反应即得0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料。本发明制得的0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料具有良好的电化学氧还原性能,适用于能源、催化等领域。

    0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110876960A

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201911087854.7

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料的制备方法。所述方法将硝酸银溶于水中,先加入1-甲基-2吡咯烷酮,搅拌混合均匀后加入石墨烯水凝胶,静置反应得到石墨烯水凝胶/银复合材料,然后将石墨烯水凝胶/银复合材料加入到饱和的7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷的乙腈溶液中,静置反应即得0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料。本发明制得的0D/2D导电金属化合物/石墨烯复合功能材料具有良好的电化学氧还原性能,适用于能源、催化等领域。

    二维导电金属有机化合物阵列、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110586190B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN201910800630.X

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种二维导电金属有机化合物阵列材料、制备方法和应用,它包括作为载体的三维基底,及其在三维基底上生长的二维导电金属有机化合物纳米片,其中,当三维基底为泡沫镍时,导电纳米片为镍、镍铁、镍锰、镍钴、镍钽和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;当三维基底为泡沫铁时,导电纳米片为镍铁、铁锰、铁钴、铁铋和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;当三维基底为泡沫铜时,导电纳米片为铜铋和2,5‑噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片。该阵列具有优良的导电性和规则排列的二维阵列结构,可以有效地进行电荷和物质传输,从而在能源、催化等领域中具有广泛的应用前景。

    原位生长的二维导电金属有机化合物阵列

    公开(公告)号:CN110624607B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN201910800483.6

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种原位生长的二维导电金属有机化合物阵列,它包括作为载体的三维基底,及其在三维基底上原位生长的二维导电纳米片阵列,其步骤为:将2,5‑噻吩二羧酸配体溶解于乙醇中;将三维基底置于上述溶液中,在密闭容器中反应;将得到的产物洗涤、干燥,得到所述阵列。该方法所得材料不需要额外金属源,由泡沫基底提供,具有优良的导电性和规则排列的二维阵列结构,可以有效地进行电荷和物质传输,从而在能源、催化等领域中具有广泛的应用前景。

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