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公开(公告)号：CN115110152A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210223608.5
申请日：2022-03-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种P型SnSe热电材料的制备方法，属于热电材料技术领域，该热电材料多晶，表达式为Sn1−xGaxSe，其中x=0.01~0.05，该热电材料在强磁场环境下水热合成完成制备，利用5T磁场对多晶SnSe粉体制备过程进行调控。本发明得到的热电材料为多晶，5T磁场的环境作用能给予额外的能量，减少成核所需的临界自由能，增加多晶SnSe的形核率，从而获得较小的晶粒。在热输运性能方面，较小的晶粒加强了声子的散射取得小的晶格热导率，实现了基于多晶SnSe热电材料的热电性能提高。
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公开(公告)号：CN115117226A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210229213.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能p型双掺杂SnTe热电材料及其制备方法，其表达式为：Sn1.03‑2xMnxSbxTe，0.02≤x≤0.1，其通过以高纯度金属单质为原料，按所述的化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、熔融反应及热处理淬火后，研磨成粉末，进行真空高温SPS烧结，冷却后得到。与现有技术相比，本发明通过固溶Mn，Sb元素进入自补偿SnTe，使能带结构得到最优化，增大了点缺陷散射，获得超高性能SnTe基热电材料，操作简单高效，可重复性高，为其他体系热电材料实现性能的进一步优化提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN115117227A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210229214.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种Ge、Bi双掺杂的SnTe基热电材料及其制备方法。所述材料为P型SnTe热电材料，其化学通式Sn（1‑2x）GexBixTe，其范围在0＜x≤0.08之间。本发明提供的SnTe热电材料无毒无害且价格低廉，采用了过程可控的一步固相反应和放电等离子烧结的制备工艺，引入低含量且无毒的Ge和Bi元素双掺杂，调节载流子浓度，提升SnTe材料的电输运性能，双原子掺杂置换晶格中的Sn位点，能够增强声子散射，协同提升SnTe材料的热电性能，同时本申请的制备方法操作简单、制备周期短，可以适用于其他类似的热电材料体系，为提升热电材料的综合性能提供了一种新方案。
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