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公开(公告)号：CN115110152A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210223608.5
申请日：2022-03-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种P型SnSe热电材料的制备方法，属于热电材料技术领域，该热电材料多晶，表达式为Sn1−xGaxSe，其中x=0.01~0.05，该热电材料在强磁场环境下水热合成完成制备，利用5T磁场对多晶SnSe粉体制备过程进行调控。本发明得到的热电材料为多晶，5T磁场的环境作用能给予额外的能量，减少成核所需的临界自由能，增加多晶SnSe的形核率，从而获得较小的晶粒。在热输运性能方面，较小的晶粒加强了声子的散射取得小的晶格热导率，实现了基于多晶SnSe热电材料的热电性能提高。
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