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公开(公告)号：CN102276842A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110135391.4
申请日：2011-05-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于质子交换膜的接枝交联型聚合物及质子交换膜的制备方法。聚合物合成如下：（1）通过偶联反应合成具有侧链反应活性的疏水性主链高分子聚合物；（2）通过亲核取代反应合成含有反应活性端基的低聚物；（3）亲水性低聚物与疏水性主链高分子聚合物定量发生反应，制备出一系列不同结构的接枝交联型聚合物；通过溶剂浇铸法得到接枝交联型质子交换膜。本发明合成工艺简单，磺化度、交联度可控，制得的质子交换膜具有结构均一、尺寸稳定性好、低湿度下导电率高等优点。
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公开(公告)号：CN102838743A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210311970.4
申请日：2012-08-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: C08G65/40 , C07C317/22 , C07C315/04 , C08J5/22 , C08L71/10
Abstract: 本发明公开了一种磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物及嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜的制备方法，磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的制备包括卤代端基非磺化疏水低聚物的制备和用其制备磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的步骤，嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜的制备方法是指在磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的基础上制备嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜，本发明具有合成工艺简单，磺化度及交联度可控，可以有效控制各组分之间相分离的发生，不存在其他方法导致的各组分相分离的情况；且得到的质子交换膜具有结构均一，尺寸稳定性好、电导率高等优点。
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公开(公告)号：CN102838743B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210311970.4
申请日：2012-08-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: C08G65/40 , C07C317/22 , C07C315/04 , C08J5/22 , C08L71/10
Abstract: 本发明公开了一种磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物及嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜的制备方法，磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的制备包括卤代端基非磺化疏水低聚物的制备和用其制备磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的步骤，嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜的制备方法是指在磺化亲水低聚物及嵌段型磺化聚合物的基础上制备嵌段交联型磺化聚芳醚砜质子交换膜，本发明具有合成工艺简单，磺化度及交联度可控，可以有效控制各组分之间相分离的发生，不存在其他方法导致的各组分相分离的情况；且得到的质子交换膜具有结构均一，尺寸稳定性好、电导率高等优点。
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公开(公告)号：CN102276842B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110135391.4
申请日：2011-05-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于质子交换膜的接枝交联型聚合物及质子交换膜的制备方法。聚合物合成如下：（1）通过偶联反应合成具有侧链反应活性的疏水性主链高分子聚合物；（2）通过亲核取代反应合成含有反应活性端基的低聚物；（3）亲水性低聚物与疏水性主链高分子聚合物定量发生反应，制备出一系列不同结构的接枝交联型聚合物；通过溶剂浇铸法得到接枝交联型质子交换膜。本发明合成工艺简单，磺化度、交联度可控，制得的质子交换膜具有结构均一、尺寸稳定性好、低湿度下导电率高等优点。
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公开(公告)号：CN102838747A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210311887.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种侧链交联型聚合物及其侧链交联型聚合物阴离子交换膜的制备方法，本发明主要包括聚醚砜聚合物前驱体的制备，氯甲基化聚醚砜聚合物的制备，侧链交联型聚合物阴离子交换膜的制备等步骤，本发明合成工艺简单，离子交换容量及交联度可控，与现有非交联膜相比，在较低IEC水平上，能制备出具有结构均一，尺寸稳定性好、离子导电率高等优点。
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