公开(公告)号：CN109004239B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810905442.9

申请日：2018-08-10

申请人： 南京晓庄学院

发明人： 刘苏莉 ,  杨慧 ,  车晨静 ,  景海燕 ,  穆雪琴 ,  陈昌云

IPC分类号： H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用，本发明的P掺杂的Co3S4纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量约为0.79％。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片具有优异的OER性能，优于目前市售的RuO2及IrO2。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片通过固液相化学反应制备，在常压和较低的温度下能可控制的合成；同时采用“一锅煮”的方式，利用程序控温模式制备，工艺简单、反应温度低、时间短，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN109004239A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810905442.9

申请日：2018-08-10

申请人： 南京晓庄学院

发明人： 刘苏莉 ,  杨慧 ,  车晨静 ,  景海燕 ,  穆雪琴 ,  陈昌云

IPC分类号： H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用，本发明的P掺杂的Co3S4纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量约为0.79％。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片具有优异的OER性能，优于目前市售的RuO2及IrO2。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片通过固液相化学反应制备，在常压和较低的温度下能可控制的合成；同时采用“一锅煮”的方式，利用程序控温模式制备，工艺简单、反应温度低、时间短，适合于批量生产。