- 专利标题： 一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用
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申请号： CN201810905442.9申请日： 2018-08-10
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公开(公告)号： CN109004239B公开(公告)日： 2019-05-14
- 发明人: 刘苏莉 , 杨慧 , 车晨静 , 景海燕 , 穆雪琴 , 陈昌云
- 申请人： 南京晓庄学院
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号
- 专利权人： 南京晓庄学院
- 当前专利权人： 江苏载驰科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号
- 代理机构： 南京先科专利代理事务所
- 代理商 缪友菊
- 主分类号： H01M4/88
- IPC分类号： H01M4/88 ; H01M4/90 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用，本发明的P掺杂的Co3S4纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量约为0.79％。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片具有优异的OER性能，优于目前市售的RuO2及IrO2。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片通过固液相化学反应制备，在常压和较低的温度下能可控制的合成；同时采用“一锅煮”的方式，利用程序控温模式制备，工艺简单、反应温度低、时间短，适合于批量生产。
公开/授权文献
- CN109004239A 一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用 公开/授权日：2018-12-14
