公开(公告)号：CN104445104B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410652023.0

申请日：2014-11-17

Applicant: 南京师范大学

Inventor： 包建春 ,  张龙 ,  曹慧娟 ,  韩敏 ,  戴志晖

IPC: C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种单斜相GeSe2纳米晶的制备方法及制得的半导体材料，以GeI4为锗源，硒脲为硒源，油胺为溶剂，采用“一锅煮”的方法得到大脑状椭球形单斜相GeSe2纳米晶。本发明采用固液相反应合成法，在常压和较低的温度下合成了尺寸均一、分散性较好的GeSe2纳米晶，反应条件温和，操作简单，方便快捷地合成纳米GeSe2。本发明所制得的单斜相GeSe2纳米晶是一种新颖且性能优异的光电化学（PEC）活性材料，光响应信号强，稳定性好，在构筑光电化学生物传感器中具有应用前景。

公开(公告)号：CN104445104A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410652023.0

申请日：2014-11-17

Applicant: 南京师范大学

Inventor： 包建春 ,  张龙 ,  曹慧娟 ,  韩敏 ,  戴志晖

IPC: C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种单斜相GeSe2纳米晶的制备方法及制得的半导体材料，以GeI4为锗源，硒脲为硒源，油胺为溶剂，采用“一锅煮”的方法得到大脑状椭球形单斜相GeSe2纳米晶。本发明采用固液相反应合成法，在常压和较低的温度下合成了尺寸均一、分散性较好的GeSe2纳米晶，反应条件温和，操作简单，方便快捷地合成纳米GeSe2。本发明所制得的单斜相GeSe2纳米晶是一种新颖且性能优异的光电化学（PEC）活性材料，光响应信号强，稳定性好，在构筑光电化学生物传感器中具有应用前景。