一种全有机聚合物S型异质结光催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119633900A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411692855.5

    申请日:2024-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种全有机聚合物S型异质结光催化材料及其制备方法与应用,所述材料包括载体和生长在载体表面的有机物聚合物,有机单体在氮化碳表面原为聚合构成全有机聚合物S型异质结,所述有机单体为1,4‑二乙炔基苯,2,5‑二乙炔基吡啶或3,6‑二乙炔基哒嗪;其制备方法为:(1)将氮化碳和催化剂加入极性碱溶液中,混合均匀;(2)将有机单体置于混合溶液中,发生聚合反应,原位生成全有机聚合物S型异质结光催化材料。本发明选择氮化碳为载体和有机共轭聚合物复合,其中有机共轭聚合物可以通过改变分子结构调节至与氮化碳的能带位置匹配,形成全有机聚合物S型异质结,使得分子内电荷转移速率更快,提高了光催化性能。

    一种sp2-C共价有机框架光电催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119019650A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411126680.1

    申请日:2024-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种sp2‑C共价有机框架光电催化材料及其制备方法和应用,所述材料以单质铜为基底,介导有机单体缩聚,在单质铜表面原位生成sp2‑C COF材料;所述有机单体有两种,一种为4,4’,4”‑(1,3,5‑三嗪‑2,4,6‑三基)三苯甲醛,另一种为2,2’‑([2,2’‑联噻吩]‑5,5’‑二基)二乙腈或2,2’‑(联苯‑4,4’‑二基)二乙腈。本发明选用两种单体C24H15N3O3搭配ThDAN或BDDAN,在铜基底上原位生成了sp2‑C COF材料,两种单体之间能够形成D‑A结构单元,存在供受体相互作用,使得分子内电荷转移速率更快,提高了材料的催化活性。

    一种快速硫化法制备碳布负载的Co-MOF纳米片阵列复合材料及其应用

    公开(公告)号:CN116180143A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310179366.9

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种快速硫化法制备碳布负载的Co‑MOF纳米片阵列复合材料及其应用,本发明在常温下将金属钴盐、二甲基咪唑在溶液混合均匀后,加入一块碳布,静置一段时间得到材料前驱体,结束后冲洗,干燥,将所得材料置于烘箱中干燥,即得到所述碳布负载的S掺杂Co‑MOF纳米片阵列复合材料。S掺杂Co‑MOF纳米片阵列可以助力材料表面功能化,提高催化活性,相对于现有技术,本发明方法操作简单,易于规模化生产,而且碳布有利于提高材料导电性和稳定性。

    一种碳布负载的Ni-MoC异质结复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115125561A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210594058.8

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种碳布负载的Ni‑MoC异质结复合材料及其制备方法和应用。本发明将金属镍源、钼源和六亚甲基四胺在水中混合,并加入一块碳布进行水热反应,再经过冲洗、干燥得到前驱体材料。将三聚氰胺置于气流上端,将水热反应所得材料置于气流下端并在还原性气氛下进行热处理,得到碳布负载的Ni‑MoC异质结复合材料。相对于现有技术,本发明方法操作简单,能应用于规模化生产;Ni‑MoC异质结构可以优化催化剂的电子结构,整合各组分的优势,提高催化剂的活性;并且碳布增大了活性位点的暴露度,促进了物质的输送和气体的释放,且提高了材料的导电性和机械稳定性。

    一种负载Ni-CeO2异质结的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113322473B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202110499182.1

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种负载Ni‑CeO2异质结的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料的制备方法与应用,所述制备方法包括以下步骤:S1、制备Ni2+/Ce3+/PVP混合溶胶;S2、将所述Ni2+/Ce3+/PVP混合溶胶经过静电纺丝,得固体碳纤维薄膜;S3、再将固体碳纤维薄膜先在200~300℃空气气氛中预氧化后,再在惰性气氛下以程序升温至400~1000℃进行热处理,保温一段时间后,即得负载Ni/CeO2异质结的氮掺杂多孔碳纳米纤维材料。本发明方法所选用的PVP廉价易得,与传统制备电解水电催化剂材料的方法相比,该方法工艺简单易行、成本低廉、操作简单、可实现大规模生产。

    一种二维Ni-Ir多孔纳米片及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112795950B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202011572984.2

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种二维Ni‑Ir多孔纳米片及其制备方法与应用,以镍氰化物、铱盐作为前驱体,经过油浴热制得二维层状结构的Hoffman型配合物前驱体,再经过高温煅烧氧化后,在特定的电化学窗口下还原得到一种二维Ni‑Ir多孔纳米片。与传统制备方法相比,本发明方法工艺操作简单,用去离子水即可除去溶液中的杂离子,煅烧氧化过程不会释放温室气体,电化学还原过程干净环保无污染。本发明方法制备得到的二维Ni‑Ir多孔纳米片纯度极高,具有比表面积大,活性位点多,电子传导性好,结构稳定等优点,对析氧展现出优异的电催化活性。

Patent Agency Ranking