一种含硫中碳钢大棒材中硫化物形态的检测方法

    公开(公告)号:CN110967292B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201911272466.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种含硫中碳钢大棒材中硫化物形态的检测方法,在直径140~170mm的含硫中碳钢棒材中取横向试样进行拉伸试验,测量断后伸长率,以判断取样区域中分布最聚集位置的硫化物形态。本发明采用上述检测方法可以不进行金相检验而快速、准确判断取样区域中分布最聚集位置的硫化物形态,为大棒材中硫化物控制水平评价和后续产品性能预测提供依据。采用断后伸长率表征硫化物对材料塑性的影响,相对于利用断面收缩率评价时人为测试误差小,复杂应力状态影响小,本发明的测量更加准确和稳定。

    一种光谱转换薄膜的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116544305A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310521815.3

    申请日:2023-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种光谱转换薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一,将稀土RE水溶性盐溶于乙醇和油酸OA混合液中,充分搅拌后加入三乙醇胺形成均质的混合溶液;将NaOH水溶液和氟化铵水溶液各5mL滴加到上述混合溶液中,搅拌至少2h形成前驱体溶液;步骤二,在清洗干净的基体上旋涂前驱体溶液50‑1000μL,旋涂结束后80‑120℃烘干,形成预制层。本发明可以实现提高太阳能电池对太阳光谱的利用率,无法吸收的红外线和能量过高的紫外线均可通过该光谱转换薄膜转换成利用率高的光子,且该薄膜不会阻挡和吸收可见‑近红外光子,即不会降低透过率。该发明对太阳能电池转换效率的提高有重要的意义。

    一种自清洁减反射薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112442669A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011321176.9

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种自清洁减反射薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一:取清洗干净的玻璃基体,置于磁控溅射装置的腔室内,采用金属靶和二氧化硅靶共溅射;步骤二:将沉积结束的玻璃基体浸入特制去金属溶液中,超声振荡0.5‑1h,进行湿法刻蚀,获得二氧化硅薄膜;步骤三:将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净,再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液;步骤四:将中和清洗后的玻璃基体取出,并采用流动水冲洗干净,表面吹干,置于退火炉中300‑500℃退火1‑2h,使二氧化硅薄膜结晶,最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。本发明提供的一种自清洁减反射薄膜的制备方法,能够起到自清洁和减反射双重作用。

    一种自清洁减反射薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112442669B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202011321176.9

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种自清洁减反射薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一:取清洗干净的玻璃基体,置于磁控溅射装置的腔室内,采用金属靶和二氧化硅靶共溅射;步骤二:将沉积结束的玻璃基体浸入特制去金属溶液中,超声振荡0.5‑1h,进行湿法刻蚀,获得二氧化硅薄膜;步骤三:将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净,再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液;步骤四:将中和清洗后的玻璃基体取出,并采用流动水冲洗干净,表面吹干,置于退火炉中300‑500℃退火1‑2h,使二氧化硅薄膜结晶,最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。本发明提供的一种自清洁减反射薄膜的制备方法,能够起到自清洁和减反射双重作用。

    一种含硫中碳钢大棒材中硫化物形态的检测方法

    公开(公告)号:CN110967292A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911272466.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种含硫中碳钢大棒材中硫化物形态的检测方法,在直径140~170mm的含硫中碳钢棒材中取横向试样进行拉伸试验,测量断后伸长率,以判断取样区域中分布最聚集位置的硫化物形态。本发明采用上述检测方法可以不进行金相检验而快速、准确判断取样区域中分布最聚集位置的硫化物形态,为大棒材中硫化物控制水平评价和后续产品性能预测提供依据。采用断后伸长率表征硫化物对材料塑性的影响,相对于利用断面收缩率评价时人为测试误差小,复杂应力状态影响小,本发明的测量更加准确和稳定。

Patent Agency Ranking