一种自清洁减反射薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112442669B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202011321176.9

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种自清洁减反射薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一:取清洗干净的玻璃基体,置于磁控溅射装置的腔室内,采用金属靶和二氧化硅靶共溅射;步骤二:将沉积结束的玻璃基体浸入特制去金属溶液中,超声振荡0.5‑1h,进行湿法刻蚀,获得二氧化硅薄膜;步骤三:将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净,再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液;步骤四:将中和清洗后的玻璃基体取出,并采用流动水冲洗干净,表面吹干,置于退火炉中300‑500℃退火1‑2h,使二氧化硅薄膜结晶,最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。本发明提供的一种自清洁减反射薄膜的制备方法,能够起到自清洁和减反射双重作用。

    一种自清洁减反射薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112442669A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011321176.9

    申请日:2020-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种自清洁减反射薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一:取清洗干净的玻璃基体,置于磁控溅射装置的腔室内,采用金属靶和二氧化硅靶共溅射;步骤二:将沉积结束的玻璃基体浸入特制去金属溶液中,超声振荡0.5‑1h,进行湿法刻蚀,获得二氧化硅薄膜;步骤三:将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净,再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液;步骤四:将中和清洗后的玻璃基体取出,并采用流动水冲洗干净,表面吹干,置于退火炉中300‑500℃退火1‑2h,使二氧化硅薄膜结晶,最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜。本发明提供的一种自清洁减反射薄膜的制备方法,能够起到自清洁和减反射双重作用。

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