一种具有可见光致超亲水性复合半导体结构阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN118507323A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410567947.4

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明提供了一种具有可见光致超亲水性复合半导体结构阵列及其制备方法,以TiO2/SnO2复合氧化物为基底,以聚苯乙烯微球为掩模,通过化学辅助离子束刻蚀的方法,实现了表面微观结构的图案化,从而获得了具有可见光致超亲水性的复合结构阵列表面;在电子辐照的作用下,光致超亲水性稳定性进一步提高。本发明解决了传统技术中光致亲水薄膜光响应波段过窄、紫外激活而非可见光激活的问题,将光响应的波段由紫外光拓展到可见光区,光致超亲水性变化幅度及稳定性更高,有效拓展了光致亲水薄膜的应用领域。

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