公开(公告)号：CN119882445A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510059603.7

申请日：2025-01-15

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 高宪花 ,  包永强 ,  韩哲哲 ,  唐晓雨 ,  曾文浩

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一种风热机组约束最优模型预测抗干扰控制方法、系统、设备和介质，属于热工过程自动控制技术领域，方法包括：实时估计风热机组的集总扰动的观测值；利用扰动预测器预测集总扰动在预测时域的未来动态；将集总扰动的观测值和未来动态融合到风热机组状态空间模型中进行稳态目标序列的求解，并构建基于稳态目标序列和风热机组状态的无限预测时域约束优化问题；构造带扰动预估补偿的最大受控容许集；将无限预测时域约束优化问题转化为等效二次规划型约束优化问题进行求解，获取风热机组抗干扰控制律。本发明兼顾变量约束与扰动抑制的双重控制目标，同时能够有效利用集总扰动未来一段时间内的前馈信号，提高风热机组的抗干扰性能。

公开(公告)号：CN112563332A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011485480.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 唐晓雨 ,  花涛 ,  刘玉杰 ,  赵毅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极。本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。

公开(公告)号：CN110085664B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201910480592.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  唐蕾 ,  刘伟伟 ,  唐晓雨

IPC: H01L29/06 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了整流器件技术领域的一种基于超导本征结阵列的高频整流器件，旨在解决现有技术中利用二极管进行整流受工作频率和温度限制大的技术问题。所述器件包括与水平磁场平行的衬底基片，衬底基片上设有两电极，两电极之间设有若干组形成互补对称结构且上表面平行于衬底基片的正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶和反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶，其CuO层均平行于衬底基片，相邻正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶与反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶之间通过下层BSCCO单晶连接层或上层BSCCO单晶连接层连接，下层BSCCO单晶连接层和上层BSCCO单晶连接层均间隔设置。

公开(公告)号：CN120032951A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411499467.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  覃翠 ,  唐晓雨 ,  余辉龙

IPC: H01B12/06 ,  H01B12/16 ,  H01F6/00 ,  H01F6/04

Abstract: 本发明属于超导磁通涡旋整流技术领域，本发明提供了一种可开关整流的超导磁通涡旋整流器系统，包括激光源、挡板和处于低温以及磁场环境中对称结构的超导薄膜微桥，所述低温为温度低于超导薄膜材料的超导临界温度TC，所述挡板设有比所述超导薄膜微桥面积小的孔洞，所述挡板的面积比所述超导薄膜微桥大，所述激光源发出的激光穿过挡板上的孔洞后，和挡板孔洞相同形状光斑的激光照射到所述超导薄膜微桥上。本发明提供了一种可开关整流的超导磁通涡旋整流器系统，能够在有着非对称钉扎体系的磁通整流体系和有着对称钉扎体系的对称结构超导微桥之间进行很好的控制切换，能够对磁通整流器的整流特性进行开关操作。

公开(公告)号：CN110085664A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910480592.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  唐蕾 ,  刘伟伟 ,  唐晓雨

IPC: H01L29/06 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了整流器件技术领域的一种基于超导本征结阵列的高频整流器件，旨在解决现有技术中利用二极管进行整流受工作频率和温度限制大的技术问题。所述器件包括与水平磁场平行的衬底基片，衬底基片上设有两电极，两电极之间设有若干组形成互补对称结构且上表面平行于衬底基片的正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶和反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶，其CuO层均平行于衬底基片，相邻正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶与反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶之间通过下层BSCCO单晶连接层或上层BSCCO单晶连接层连接，下层BSCCO单晶连接层和上层BSCCO单晶连接层均间隔设置。