公开(公告)号：CN115249767A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202111570288.2

申请日：2021-12-21

Applicant: 南京工业职业技术大学

Inventor： 刘玉玉 ,  刘一任 ,  金展翔 ,  许卫锋 ,  凌海峰 ,  周璐 ,  解令海

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种基于芴酮衍生物小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、栅电极绝缘层、电荷捕获层、半导体层和源漏电极，其中电子捕获层是由芴酮衍生物小分子作为的浮栅层和高介电常数聚合物作为隧穿层和电荷阻挡层组成，本发明所述的场效应晶体管存储器利用结构简单的小分子材料作为浮栅层，实现了双极性存储性能，器件性能稳定，耐受性高，存储密度大，采用的加工工艺简单，可大面积制备，适用于柔性器件的制备，同时降低器件的生产成本，有利于有机场效应晶体管存储器的推广和应用。