一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN102030471B

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201010510142.4

    申请日:2010-10-18

    Abstract: 本发明提供了一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法。属于由低软化点、低损耗玻璃和陶瓷复合的新材料及其制备技术领域。具体是:将熔制的玻璃,在高温状态淬冷到水中,粗碎,球磨成玻璃粉,按照一定配比与陶瓷粉混合成复合粉料。本发明的低软化点低损耗玻璃和陶瓷料,与有机体系配成浆料,流延成生瓷料带,印刷微电路图形的金属浆料,低温共烧获得多层微电路封装基片。该玻璃和陶瓷料具有相对介电常数6.0到9.0连续可调、介质损耗低、微电路立体集成、耐温高、频率温度稳定性好等特点。在高速电路、滤波器、功率开关、微带天线阵、大功率波导等电路中,是一种具有广泛应用前景的新型微电子封装材料。

    一种用于盆式绝缘子表面功能梯度改性的DBD装置

    公开(公告)号:CN117316558A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311343169.2

    申请日:2023-10-17

    Abstract: 本发明提供了一种用于盆式绝缘子表面功能梯度改性的DBD装置,DBD放电模块和气体均化模块通过绝缘介质板连接构成一体化DBD结构,绝缘介质板内部有一长条通孔,媒质进气板与一体化DBD结构固定连接,多孔分气板紧压于长条通孔上方,媒质进气板上设有媒质添加孔,多孔分气板上设有通孔阵列,通孔阵列各圆孔孔径大小由一端到另一端逐渐减小。本发明利用多孔分气板,将反应媒质以浓度梯度分布添加方式加入工作气体中,同时在工作气体作用下,将条状高压电极与条状接地电极之间的等离子体带出工作空间,作用于盆式绝缘子表面,产生反应媒质浓度梯度分布的等离子体,配合旋转装置,实现大尺度盆式绝缘子表面功能梯度化改性。

    一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN102030471A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010510142.4

    申请日:2010-10-18

    Abstract: 本发明提供了一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法。属于由低软化点、低损耗玻璃和陶瓷复合的新材料及其制备技术领域。具体是:将熔制的玻璃,在高温状态淬冷到水中,粗碎,球磨成玻璃粉,按照一定配比与陶瓷粉混合成复合粉料。本发明的低软化点低损耗玻璃和陶瓷料,与有机体系配成浆料,流延成生瓷料带,印刷微电路图形的金属浆料,低温共烧获得多层微电路封装基片。该玻璃和陶瓷料具有相对介电常数6.0到9.0连续可调、介质损耗低、微电路立体集成、耐温高、频率温度稳定性好等特点。在高速电路、滤波器、功率开关、微带天线阵、大功率波导等电路中,是一种具有广泛应用前景的新型微电子封装材料。

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