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公开(公告)号：CN115354373B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202211109190.1
申请日：2022-09-13
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于限域电沉积的金属表面缺陷再制造方法及装置，利用电化学沉积再制造的方式，对金属表面缺陷进行快速修复；该方法包括识别并定位到表面缺陷位置，对表面缺陷位置进行清洗及干燥处理；识别扫描表面缺陷位置，获取表面缺陷相对于非金属图案化喷嘴位置的偏移信息，同时提取该表面缺陷的二维封闭轮廓图形信息，以确定限制区域；通过非金属图案化方法，快速形成绝缘涂层；在绝缘涂层上方扣置电沉积喷头并循环供应沉积液，在表面缺陷处进行限域电化学沉积；去除绝缘涂层，整平表面缺陷处。本发明还提供了一种适用于该方法的装置。本发明将非金属图案化方法与限域电化学沉积相结合，适用于修复各种金属基材表面形貌。
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公开(公告)号：CN115354373A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211109190.1
申请日：2022-09-13
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于限域电沉积的金属表面缺陷再制造方法及装置，利用电化学沉积再制造的方式，对金属表面缺陷进行快速修复；该方法包括识别并定位到表面缺陷位置，对表面缺陷位置进行清洗及干燥处理；识别扫描表面缺陷位置，获取表面缺陷相对于非金属图案化喷嘴位置的偏移信息，同时提取该表面缺陷的二维封闭轮廓图形信息，以确定限制区域；通过非金属图案化方法，快速形成绝缘涂层；在绝缘涂层上方扣置电沉积喷头并循环供应沉积液，在表面缺陷处进行限域电化学沉积；去除绝缘涂层，整平表面缺陷处。本发明还提供了一种适用于该方法的装置。本发明将非金属图案化方法与限域电化学沉积相结合，适用于修复各种金属基材表面形貌。
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公开(公告)号：CN113579378B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110817661.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种微锥形阵列结构的分步电解加工方法，所述方法包括在预处理后的工件表面直接或间接制作阵列图形化掩膜；将待加工工件装入夹具，夹具外接电源，工具电极接电源阴极，工件接电源阳极，进行一次掩膜电解快速成形加工；一次电解加工后，去除微结构顶端的阵列图形化掩膜，再进行二次电解轮廓修整加工。区别于传统的微锥形阵列加工，本发明通过开展一次掩膜电解快速成形加工和进行二次电解轮廓修整加工的分步电解加工方式，使得一次电解加工后的微结构顶端直径减小锐化，最终形成尖锥形阵列结构，解决了微锥形阵列结构加工过程中加工精度差、阵列一致性低、表面质量差的问题，提高微阵列结构加工效率。
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公开(公告)号：CN113579378A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110817661.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种微锥形阵列结构的分步电解加工方法，所述方法包括在预处理后的工件表面直接或间接制作阵列图形化掩膜；将待加工工件装入夹具，夹具外接电源，工具电极接电源阴极，工件接电源阳极，进行一次掩膜电解快速成形加工；一次电解加工后，去除微结构顶端的阵列图形化掩膜，再进行二次电解轮廓修整加工。区别于传统的微锥形阵列加工，本发明通过开展一次掩膜电解快速成形加工和进行二次电解轮廓修整加工的分步电解加工方式，使得一次电解加工后的微结构顶端直径减小锐化，最终形成尖锥形阵列结构，解决了微锥形阵列结构加工过程中加工精度差、阵列一致性低、表面质量差的问题，提高微阵列结构加工效率。
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