含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101221869A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710190664.9

    申请日:2007-11-28

    Inventor: 沈春英 丘泰 卢平

    Abstract: 本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法,尤其涉及一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法;本发明材料的基体为二氧化锆和钨,称取钨粉于氢炉内退火,粉碎,过80目筛后与ZrO2一起研磨混匀,成型,置于铝酸盐粉末中,氢气气氛中浸渍,清除浸渍后的浮盐,制得电子发射体材料。本发明所制得的锆钨基体的平均孔径变小,孔径分布变窄;阴极在工作温度1050℃时,发射电流密度为传统钡钨阴极的1.73-1.86倍。

    含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101221869B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200710190664.9

    申请日:2007-11-28

    Inventor: 沈春英 丘泰 卢平

    Abstract: 本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法,尤其涉及一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法;本发明材料的基体为二氧化锆和钨,称取钨粉于氢炉内退火,粉碎,过80目筛后与ZrO2一起研磨混匀,成型,置于铝酸盐粉末中,氢气气氛中浸渍,清除浸渍后的浮盐,制得电子发射体材料。本发明所制得的锆钨基体的平均孔径变小,孔径分布变窄;阴极在工作温度1050℃时,发射电流密度为传统钡钨阴极的1.73-1.86倍。

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