公开(公告)号：CN117276369A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311295297.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 穆思发 ,  胡赛赛 ,  顾大伟 ,  于霆

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于激光功率和栅极电压可调正负光电导特性WS2探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)获得多个二硫化钨薄片；(2)将步骤(1)中获得的二硫化钨薄片分别转移到清洗干净的衬底上，通过光学显微镜选择具有三层原子层的二硫化钨薄片；(3)使用标准电子束光刻工艺在步骤(2)选择好的二硫化钨薄片上图案化源电极和漏电极；光刻后，金属电极Cr/Au于高真空下在薄片上热蒸发，然后在丙酮中进行剥离工艺，以获得清晰的金属电极。本发明通过控制激光功率和栅极电压于同一器件中同时实现正负光电导效应，为发展新型光电探测器、高性能光电存储器等应用提供新的思路，扩大晶体管的应用范围。

公开(公告)号：CN220963362U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322693281.0

申请日：2023-10-09

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 穆思发 ,  胡赛赛 ,  顾大伟 ,  于霆

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108

Abstract: 本实用新型公开了一种正负光电导特性可调的WS2探测器，包括：衬底，采用表面覆盖有氧化硅的硅衬底；二硫化钨栅极介质层，作为栅极沟道材料负载于衬底表面；金属电极，两金属电极与二硫化钨栅极介质层接触；二硫化钨栅极介质层采用三个原子层。本实用新型正负光电导特性可调的探测器，可同一器件中同时实现正负光电导效应，为发展新型光电探测器、高性能光电存储器等应用提供新的思路，扩大晶体管的应用范围。