公开(公告)号：CN119630269A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311180720.6

申请日：2023-09-13

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 芦红 ,  谢景龙 ,  樊星 ,  请求不公布姓名

IPC: H10N60/85 ,  H10N60/01 ,  H10N60/00 ,  G06N10/40 ,  C30B29/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜结构、制备方法及其应用。其中，一种多层薄膜结构包括：单晶衬底，铝薄膜，以及钽薄膜。制备方法包括以下步骤：对单晶衬底的表面进行处理；在单晶衬底表面外延生长铝薄膜；在铝薄膜上方外延生长钽薄膜。本发明提供的一种多层薄膜结构、制备方法以及超导量子比特器件拓展了钽薄膜的制备方法，实现了大面积α相钽薄膜的均匀生长，多层薄膜的界面质量高，超导临界温度2至4 K。同时，本发明设计的超导量子比特器件，退相干时间长，制造的谐振腔电路具有高的品质因子，可应用于超导量子比特器件，超导量子计算机等领域。