公开(公告)号：CN1552791A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200310112692.0

申请日：2003-12-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  都有为 ,  王嵩岭 ,  韩志达

IPC: C09K5/12

Abstract: 一类更好的钆系列合金室温磁制冷工质，采用Gd1－xMx合金材料，M＝B，C，Al，Si，Fe，Co，Ni，Cr，Mn或Cu形成的合金，X取0.01－0.10。尤其是Gd1－xFex，Gd1－xCox，Gd1－xNix合金，X取0.02－0.10较好。本发明居里温度明显高于Gd，且能在一定的组成范围内(10％以内)保持和Gd相仿的磁熵变值，从而降低了成本。同时它们还具有很好的化学稳定性。

公开(公告)号：CN101974707A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010505099.2

申请日：2010-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  韩志达 ,  张成亮 ,  轩海成 ,  都有为

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/047

Abstract: 铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料，通式为Ni-Mn-X(X＝In，Sn或Sb)合金。尤其是Ni40-60Mn40-60X5-20Sn11合金中，X＝In，Sn，Sb。铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用，在Ni-Mn-X (X＝In，Sn或Sb)铁磁形状记忆合金材料中，通过调节元素比例，元素掺杂以及间隙原子的渗入几种手段调节马氏体相变温度，使马氏体相变或逆马氏体相变发生在弱磁态、包括反铁磁，顺磁及弱铁磁的马氏体相和铁磁态的奥氏体相之间，获得磁化强度的大幅跳跃，从而得到大的磁热和磁电阻效应。

公开(公告)号：CN1246416C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200310112692.0

申请日：2003-12-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  都有为 ,  王嵩岭 ,  韩志达

IPC: C09K5/12

Abstract: 一类更好的钆系列合金室温磁制冷工质，采用Gd1-xMx合金材料，M＝B，C，Al，Si，Fe，Co，Ni，Cr，Mn或Cu形成的合金，X取0.01-0.10。尤其是Gd1-xFex，Gd1-xCox，Gd1-xNix合金，X取0.02-0.10较好。本发明居里温度明显高于Gd，且能在一定的组成范围内(10%以内)保持和Gd相仿的磁熵变值，从而降低了成本，同时它们还具有很好的化学稳定性。