具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列气相合成方法

    公开(公告)号:CN100434353C

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200610037968.7

    申请日:2006-01-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明是采用气相聚集法团簇束流源(1)产生纳米粒子,通过绝热膨胀获得纳米粒子束流(5),再经过准直器(4)进入高真空沉积室(6)而形成高度定向的纳米粒子束流;旋转衬底座,使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角、并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束(5)的曝射区内,控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后,即可在衬底(7)的表面上获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。该方法具有高效、低成本、工艺简单等特点,在常见的纳米粒子源的工艺参数下,通过数十秒钟就可以完成纳米粒子梯度阵列的沉积。

    具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列的气相合成方法

    公开(公告)号:CN1810629A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200610037968.7

    申请日:2006-01-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明是采用气相聚集法团簇束流源(1)产生纳米粒子,通过绝热膨胀获得纳米粒子束流(5),再经过准直器(4)进入高真空沉积室(6)而形成高度定向的纳米粒子束流;旋转衬底座,使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角、并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束(5)的曝射区内,控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后,即可在衬底(7)的表面上获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。该方法具有高效、低成本、工艺简单等特点,在常见的纳米粒子源的工艺参数下,通过数十秒钟就可以完成纳米粒子梯度阵列的沉积。

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