具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列的气相合成方法

    公开(公告)号:CN1810629A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200610037968.7

    申请日:2006-01-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明是采用气相聚集法团簇束流源(1)产生纳米粒子,通过绝热膨胀获得纳米粒子束流(5),再经过准直器(4)进入高真空沉积室(6)而形成高度定向的纳米粒子束流;旋转衬底座,使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角、并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束(5)的曝射区内,控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后,即可在衬底(7)的表面上获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。该方法具有高效、低成本、工艺简单等特点,在常见的纳米粒子源的工艺参数下,通过数十秒钟就可以完成纳米粒子梯度阵列的沉积。

    具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列气相合成方法

    公开(公告)号:CN100434353C

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200610037968.7

    申请日:2006-01-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明是采用气相聚集法团簇束流源(1)产生纳米粒子,通过绝热膨胀获得纳米粒子束流(5),再经过准直器(4)进入高真空沉积室(6)而形成高度定向的纳米粒子束流;旋转衬底座,使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角、并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束(5)的曝射区内,控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后,即可在衬底(7)的表面上获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。该方法具有高效、低成本、工艺简单等特点,在常见的纳米粒子源的工艺参数下,通过数十秒钟就可以完成纳米粒子梯度阵列的沉积。

    一种用于纳米粒子束流源的复合型分离器

    公开(公告)号:CN1804107A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200610037969.1

    申请日:2006-01-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于纳米粒子束流源的复合型分离器,它是采用光汇集再发散的气流通道结构,该气流通道由圆锥形的入口侧(12),圆锥形的出口侧(13)和连接入口侧(12)的喉部(14)所构成。本发明的分离器采用先汇集再发散的气流通道结构取代了原来的分离器中尖锥形的单发散气流通道,使纳米粒子束流源强度获得大幅度提高,用旧的分离得到的束流等效沉积率小于0.2nm/s,而新结构的分离器得到高于5nm/s的等效沉积率的高强度束流,足以满足纳米结构薄膜沉积工艺的需要,新结构气流通道的分离器工作时间由原来数小时增加到理论上的无限长时间。

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